| 主权项 |
1.一种功率半导体封装,包含一底部之导架,此导架有一底板部位及至少一从该底板部位上延伸出来的第一终端区;至少一与该第一终端区共面的第二终端区;一半导体功率金氧半导体场效电晶体晶粒,具有形成一汲极连结的底面,及一上表面,此上表面上配置形成一源极的第一金属化区域,及形成一栅极的第二金属化区域,该底面耦合该导架的底板,使得该第一终端区电性连接该汲极;一铜板,耦合形成该源极连结的第一金属化区域中的一实质部位,且展布在该部位上;以及至少一束状部位,此束状部位的尺寸及形状可适于将该铜板部位耦合到该至少一第二终端区,使得其可电性耦合该源极。2.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,尚包含一耦合栅极到一第三终端区的线连结区。3.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,尚包含一层可卷曲的导电材料,此导电材料配置在铜板及第一金属化区域之间,使得铜板部位可固定地耦合到源极上。4.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中铜板包含一上表面及一下表面,该底面具指向下的突起,此突起延伸到该源极处。5.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中,该金氧半导体场效电晶体晶粒包含一延伸过源极部位的栅极滙流排,该铜板大致上覆盖住整个栅极滙流排。6.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中该金氧半导体场效电晶体晶粒包含一延伸过源极部位的栅极滙流排,尚包含一氮化层,此氮化层大致上盖住栅极滙流排中至少一部位,该铜板氮化层与该栅极滙流排形成电性绝缘。7.如申请专利范围第6项之功率半导体封装,其中包含一层可卷曲的导电材料,此导电材料系配置在该铜板部位及该源极之间。8.如申请专利范围第7项之功率半导体封装,其中该氮化层使得栅极滙流排与该可卷曲的导电材料形成电性绝缘。9.如申请专利范围第8项之功率半导体封装,其中该可卷曲的导电材料为填入环氧树脂的银。10.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中至少一束状部位从铜板的侧端上延伸出来,且其末端耦合至少一第二终端区。11.如申请专利范围第10项之功率半导体封装,尚包含一层可卷曲的导电材料,此导电材料配置在束状部位之末端昅至少一第二终端区之间。12.如申请专利范围第10项之功率半导体封装,其中该至少一第二终端区与该至少一束状部位形成一体。13.如申请专利范围第10项之功率半导体封装,其中该束状部位为从铜板的侧端向至少一第二终端区延伸的单一组件。14.如申请专利范围第10项之功率半导体封装,其中至少两个束状部位从该铜板的侧到延伸出来,终止于该至少一第二终端区中。15.如申请专利范围第14项之功率半导体封装,其中至少两个束状部位从该铜板的侧端到延伸向横杆部位,该横杆部位耦合该至少两个终端区。16.如申请专利范围第15项之功率半导体封装,尚包含一层可卷曲的导电材料,配置此导电材料使得将横杆部位耦合于第二终端区中。17.如申请专利范围第16项之功率半导体封装,其中该可卷曲的的导电材料为填入环氧树脂的银。18.如申请专利范围第15项之功率半导体封装,其中该横杆部位包含一位在第二终端区附近的空洞,此空洞的大小及形状适于简化与该第二终端区之间的结合。19.如申请专利范围第18项之功率半导体封装,其中该空洞大致上在横杆部位之长度方向延伸之通道的形式。20.如申请专利范围第19项之功率半导体封装,尚包含一配置在通道内之可卷曲的导电材料,以将横杆部位耦合到第二终端区。21.如申请专利范围第20项之功率半导体封装,尚包含一指向下的突起,其延伸过通道朝向第二终端区。22.如申请专利范围第21项之功率半导体封装,其中该突起为大致上延伸过横杆部位之长度的壁面。23.如申请专利范围第22项之功率半导体封装,尚包含一可卷曲的导电材料,此导电材料配置在空洞内,以将横杆部位耦合到第二终端区。24.如申请专利范围第23项之功率半导体封装,其中该可卷曲的导电材料为填入环氧树脂的银。25.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中大致上该封装的大小及形状使其可符合一SO8的封装形态。26.如申请专利范围第1项之功率半导体封装,其中该封装包含一塑胶外壳,其外壳大致上包封该底部导架,半导体晶粒及铜板。27.一种功率半导体土装,包含一底部之导架,此导架有一底板部位及至少一从该底板部位上延伸出来的第一终端区;至少一与该第一终端区共面的第二终端区;一半导体功率金氧半导体场效电晶体晶粒,此晶粒有上表面,此上表面上配置一形成一源极的第一金属化区域,及形成一栅极的第二金属化区域,该上表面尚包含一在源极之部位上延伸的栅极滙流排,该金氧半导体场效电晶体晶粒尚包含形成一汲极连结的下表面,此汲极连结耦合导架的底板,使得第一终端区电性连接该汲极;一氮化层,此氮化层大致上覆盖该栅极滙流排的一部份;一层可卷曲的之导电材料,配置在该氮化层及该源极的上方;一铜板耦合且展布在该源极中实质上之部位,且大致上覆盖住整个栅极滙流排,该可卷曲的导电材料电性耦合该铜板到该源极,但是经该氮化层而与该栅极滙流排电性绝缘;至少一束状部位,此束状部位的大小及形状可耦合该铜板到该至少一第二终端区,使得与该源极形成电性耦合;以及一线连结区,将该栅极耦合到一第三终端区。28.如申请专利范围第27项之功率半导体封装,其中该可卷曲的的导电材料为填入环氧树脂的银。29.如申请专利范围第27项之功率半导体封装,其中至少一束状部位,此束状部位从铜板的侧端延伸出来,且其末端耦合至少一第二终端区。图式简单说明:第一图为依据习知技术之半导体封装的侧视图;第二图为依据习知技术之半导体封装的侧视图;第三图为依据本发明之半导体封装的侧视图;第四图为第三图所示之半导体封装之另一实施例的上视图;第四图a-第四图c为第四图之半导体封装的透视图;第五图为第四图之半导体封装中另一实施例的上视图;第六图为沿线6-6所视之第五图中半导体封装中的局部视图;第七图及第七图A为依据本发明半导体封装之另一实施例的切面视图及其放大视图;第八图为依据本发明之半导体封装中再一实施例的切面透视图;第九图为依据本发明之半导体封装中又一实施例的切面视图。 |
