发明名称 |
培养基体的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种培养基体的制备方法,该培养基体用于培养细胞,其包括以下步骤:提供一碳纳米管结构;以及在所述碳纳米管结构表面形成一亲水层。该制备方法进一步包括在所述亲水层表面形成一极性层的步骤。 |
申请公布号 |
CN102618482B |
申请公布日期 |
2015.03.11 |
申请号 |
CN201110100900.X |
申请日期 |
2011.04.21 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
冯辰;范立;赵文美 |
分类号 |
C12N5/00(2006.01)I;C12N5/07(2010.01)I |
主分类号 |
C12N5/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种培养基体的制备方法,该培养基体用于培养细胞,其包括以下步骤:提供一碳纳米管结构,该碳纳米管结构由多个碳纳米管构成;以及将该碳纳米管结构置于或固定于间隔设置的两个支撑物上,使位于两个支撑物之间的碳纳米管结构悬空设置,并采用蒸镀法、溅射法或喷涂法在悬空设置的碳纳米管结构表面形成一亲水层,该亲水层用于培养细胞;以及在所述亲水层表面形成一极性层,该极性层为聚醚酰亚胺。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |