发明名称 用于半导体制造之离子植入装置中监督涡轮泵浦操作的方法
摘要 一种用于半导体制造之离子植入装置。具有电流检测器,其作用为检测流经涡轮泵的电流量,显示器用以显示电流检测量的资讯,控制器决定流经涡轮泵的电流量超过预设的上限值或是下限值,产生电源控制讯号。根据电源控制讯号,停止涡轮泵运作,且整个离子植入装置暂停离子植入的操作。
申请公布号 TW432501 申请公布日期 2001.05.01
申请号 TW087116951 申请日期 1998.10.13
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 崔善奉;林东河;郑孝祥;韩晟生
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种用于半导体制造之离子植入装置,该装置至少包括:一离子束中和器,其作用系为中和离子束的电性,其中该离子束中和器更包括一涡轮泵,该涡轮泵的作用系为循环该离子束中和器中的气体及维持该离子植入装置真空区域的高真空度;一电源供应器,该电源供应器提供三相交流电流给该涡轮泵,并根据收到的一电源控制讯号,决定是否供应电流给该涡轮泵;一电流检测器,系用来检测流经该涡轮泵的电流量;一显示器,系用来显示该电流检测器得到的电流量资讯;以及一主控制器,其作用为控制整个装置的运作,及决定流经该涡轮泵的电流量,是否超过预设的上下限値,以产生该电源控制讯号,根据该电源控制运号,该主控制器暂停离子植入的操作,并让该涡轮泵停止运作。2.一种用于半导体制造之离子植入装置,该装置至少包括:一离子束中和器,其作用系为中和离子束的电性,其中该离子束中和器更包括一涡轮泵,该涡轮泵的作用系为循环离子束中和器中的气体及维持该离子植入装置真空区域的高真空度;一电源供应器,该电源供应器提供三相交流电流给该涡轮泵,并根据收到的一电源控制讯号,决定是否供应电流给该涡轮泵;一电流检测器,系用来检测流经该涡轮泵的电流量,及决定流经该涡轮泵的电流量,是否超过预设的上下限値,以产生该电源控制讯号;一显示器,系用来显示该电流检测器得到的资料;以及一主控制器其作用为控制整个装置的运作,及决定流经该涡轮泵的电流量,是否超过预设的上下限値,以产生电源控制讯号。3.如申请专利范围第2项所述用于半导体制造之离子植入装置,其中该电流检测器更包括一电流感测器及一泵控制器。该电流感测器系用以检测通过该涡轮泵的电流量,该泵控制器系决定通过该涡轮泵的电流量是否超过预设的上下限値,以产生电源控制讯号。4.一种用于半导体制造之离子植入装置中监督涡轮泵操作的方法,该离子植入装置包括一离子束中和器,其作用系为中和离子束的电性,其中该离子束中和器更包括一涡轮泵,该涡轮泵的作用系为循环该离子束中和器中的气体及维持该离子植入装置真空区域的高真空度,一电源供应器,该电源供应器提供三相交流电流给该涡轮泵,并根据收到的一电源控制讯号,决定是否供应电流给该涡轮泵,包括下列步骤;检测通过该涡轮泵的电流量;决定通过该涡轮泵的电流量,是否超过预设的上下限値,以产生该电源控制讯号;显示检测得到的电流量资讯于一显示器,并储存资料于一记忆装置;以及根据收到的该电源控制讯号停止该涡轮泵的电源供应,并暂停该装置的离子植入操作。图式简单说明:第一图系绘示习知一种离子植入装置的示意图;第二图系绘示习知涡轮泵的示意图;第三图系绘示;第四图系绘示本发明第一实施例中涡轮泵的监控流程图;第五图系绘示;以及第六图系绘示本发明第二实施例中涡轮泵的监控流程图。
地址 韩国