Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Schichten auf rotierenden Substraten in einem allseits beheizten Strömungskanal

摘要

Beschrieben werden eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von SiC-Halbleiterschichten und verwandter Materialien mit großer elektronischer Bandlücke und hoher Bindungsenergie (wie z. B. SiC¶x¶Ge¶1-x¶ (x = 0-1), AIN, GaN). DOLLAR A Die Erfindung zeichnet sich durch die Verwendung eines rotierenden Substrates in einem allseits beheizten Strömungskanal und einem aktiv gekühlten Gaseinlaß aus.