发明名称 基体均匀加热用基体支撑构件
摘要 本发明提供一种加热构件,能够被塑模于在诸个别构件或压缩零件之间的诸空穴内,以便提供有效率且均匀的热传送。本发明可以被用以有益于环绕供加热内容物用的管路或导管,在提供热给邻近的构件或工件用的构件之内,以及在任何其它藉由与欲加热构件的直接接触而能够更有效率或均匀地提供热之应用中,无论欲加热构件是否为需要加热的最终构件或工件。依本发明一论点,加热构件被配置在静电夹头之内以便提供静电夹头的直接传导式加热,并且于最终使矽晶圆加热到大约摄氏6OO度高的温度。较佳之静电夹头合并了直接被塑模在静电夹头之内的混合物加热元件,其中该混合物在静电夹头的大表面范围上被电阻式地加热。
申请公布号 TW439170 申请公布日期 2001.06.07
申请号 TW086117843 申请日期 1997.11.27
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 朗道夫W.多佛斯基
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;康伟言 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种加热基体用的基体支撑构件,包含:a)刚性本体,具有供支撑基体于其上的上表面以及界定一空穴之下表面;b)一混合加热中间物,填入于本体之下表面之空穴,该混合加热中间物系由悬浮于一热传导性材料内之多个电气传导碎片所组成;c)一热耦器被塑模于混合加热中间物内;及d)电性导线,用以连接该混合加热中间物至电压源。2.如申请专利范围第1项之基体支撑构件,其中该加热构件包含了容纳在可矫正材料之内的电阻式加热线圈。3.如申请专利范围第1项之基体支撑构件,其中该加热构件包含一混合物材料,它具有足够电阻性去加热该基体支撑构件至超过大约摄氏600度的温度。4.如申请专利范围第1项之基体支撑构件,其中该混合物材料有充分均匀的电阻性去控制该基体支撑构件的温度在设定点温度的大约摄氏2度之内。5.如申请专利范围第4项之基体支撑构件,其中该电压源是可控制去提供大约10与大约100伏特之间的交流电。6.如申请专利范围第4项之基体支撑构件,其中该混合物材料包含了在可矫正材料内的传导细丝。7.如申请专利范围第1项之基体支撑构件,其中该混合加热中间物被形成在该热耦周围。8.如申请专利范围第4项之基体支撑构件,其中该混合物材料被形成在供经过该混合物材料传送背面气体到该基体用的通路器周围。9.如申请专利范围第8项之基体支撑构件,其中该背面气体被传送到位在该基体支撑构件与该基体之间接触面的该静电夹头。10.一种供加热基体用的基体支撑构件,包含:a)静电夹头,具有电极、配置于被规划为收纳基体于其上的电极之上的电绝缘体、以及一具有空穴之底部部份;b)一混合加热中间物,模制于该空穴内,该混合加热中间物系由悬浮于一热传导性材料中之多个电气传导碎片所组成;c)一热耦器被塑模于混合加热中间物内;及d)电性导线,用以连接该混合加热中间物到电压源。11.如申请专利范围第10项之基体支撑构件,进一步包含穿过该热传导性材料与该静电夹头之通路,以便传递热传送气体到该静电夹头的表面。12.如申请专利范围第11项之基体支撑构件,其中该电极具有穿过该热传导性材料的导线。图式简单说明:第一图是多反应室积体电路处理系统10的上方平面视图,其中可以采用本发明之支撑构件。第二图是示范性PVD处理反应室的部份截面图,具有本发明一支撑构件被配置于其内。第三图是本发明之支撑构件的横截面图,具有一电极及电阻式核心,具备供背面气体、电性导线等用的诸通路及通道。第四图是本发明之支撑构件其第一实施例的下视图,具有被塑模至本体内直接在静电夹头电极下方的混合加热媒介。第五图是本发明之支撑构件其第二实施例的下视图,具有被配置于可塑的热传统性材料内之离散的加热线圈。第六图是本发明之支撑构件的上视图,具有形成于其内供热传送流体之通路用的诸弪向通道。
地址 美国