| 主权项 |
1.一种功率金氧半场效电晶体之制造方法,包括:提供一基底,该基底上具有一磊晶层;于该基底之该磊晶层上形成一闸极介电层;于该闸极介电层上形成已图案化之一闸极导体层与一顶盖层;在未被该顶盖层所覆盖之该磊晶层中形成一井区;在该井区中形成一源极区;进行一离子植入步骤,以将一物种植入于该磊晶层之表面,使该磊晶层之氧化速率减缓;进行一热氧化制程,以使该闸极导体层之侧壁氧化而形成一氧化间隙壁;于该基底上形成一介电层;进行一自动对准接触窗开口制程,以在该介电层中形成裸露出该源极之一接触窗开口;以及于该接触窗开口与该介电层之表面形成一金属层,以电性连接该源极区。2.如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该离子植入步骤所植入之该物种包括氮气阳离子。3.如申请专利范围第2项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该离子植入步骤所植入之该物种的剂量为每平方公分1E15至3E16个氮气阳离子。4.如申请专利范围第2项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该离子植入步骤之能量为25KeV至150KeV。5.如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该氧化间隙壁之厚度为2000埃至5000埃。6.如申请专利范围第1项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该顶盖层之材质与该介电层具有不同的蚀刻速率。7.如申请专利范围第6项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮化矽;该介电层之材质包括硼磷矽玻璃。8.如申请专利范围第7项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,更包括于该顶盖层与该闸极导体层之间形成一缓冲层。9.如申请专利范围第8项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该闸极导体层之材质包括复晶矽;该缓冲层之材质包括氧化矽。10.一种功率金氧半场效电晶体之制造方法,包括:提供一基底,该基底上具有一磊晶层;于该基底之该磊晶层上形成一闸极介电层;于该闸极介电层上形成已图案化之一复晶矽闸极层与一顶盖层;在未被该顶盖层所覆盖之该磊晶层中形成一井区;在该井区中形成一源极区;进行离子植入步骤,以将氮气阳离子植入于该磊晶层之表面,抑制该磊晶层发生氧化;进行一热氧化制程,以使该复晶矽闸极层之侧壁氧化而形成一氧化间隙壁;于该基底上形成一介电层;进行一自动对准接触窗开口制程,以在该介电层中形成裸露出该源极之一接触窗开口;以及于该接触窗开口与该介电层之表面形成一金属层,以电性连接该源极区。11.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该离子植入步骤所植入之该氮气阳离子的剂量为每平方公分1E15至3E16个离子。12.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该离子植入步骤之能量为25KeV至150KeV。13.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该氧化间隙壁之厚度为2000埃至5000埃。14.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该顶盖层之材质与该介电层具有不同的蚀刻速率。15.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮化矽;该介电层之材质包括硼磷矽玻璃。16.如申请专利范围第10项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,更包括于该顶盖层与该复晶矽闸极层之间形成一缓冲层。17.如申请专利范围第16项所述之功率金氧半场效电晶体之制造方法,其中该缓冲层之材质包括氧化矽。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示习知沟渠式闸极功率金氧半场效电晶体之制造流程的剖面示意图。第二图A至第二图F系绘示依据本发明之较佳实施例,一种功率金氧半场效电晶体之制造流程的剖面示意图。 |
