| 主权项 |
1.一种形成非挥发性记忆装置的浮置闸之制造方法,上述非挥发性记忆装置具有平坦的基底,与位在上述基底上之第一介电层,上述方法包括下列步骤:在上述第一介电层上沉积复晶矽层;藉由氧化物蚀刻剂,对上述复晶矽层进行化学机械研磨程序,以达到平坦化效果;在上述已平坦化的复晶矽层上形成第二介电层;以及图案化上述复晶矽层,以形成浮置闸。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中上述研磨程序步骤包括稀释上述氧化物蚀刻剂至预先估计的比例。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中更包括下列步骤:在上述第二介电层上形成第三介电层,其中上述第二介电层与上述第三介电层由不同的材质组成;以及在上述第三介电层上形成第四介电层,其中上述第三介电层与上述第四介电层由不同的材质组成。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述形成第四介电层之步骤包括氧化反应之步骤。5.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述形成第三介电层之步骤包括形成氮化矽层之步骤。6.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述形成第四介电层之步骤包括形成二氧化矽层之步骤。7.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中上述形成第二介电层之步骤包括形成二氧化矽层之步骤。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中更包括形成第二介电层之上述步骤之前,对上述已平坦化的复晶矽层进行回火之步骤。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中更包括沉积上述复晶矽层之上述步骤之后,对上述复晶矽层进行掺杂之步骤。10.一种形成非挥发性记忆装置的浮置闸之制造方法,包括下列步骤:定义一基底;在上述基底中形成复数个场阻隔结构物;在上述基底上形成第一介电层;在上述第一介电层上沉积复晶矽层;藉由氧化物蚀刻剂,对上述复晶矽层进行化学机械研磨程序,以达到平坦化效果;在上述已平坦化的复晶矽层上形成第二介电层;在上述第二介电层上形成第三介电层,其中上述第二介电层与上述第三介电层由不同的材质组成;在上述第三介电层上形成第四介电层,其中上述第三介电层与上述第四介电层由不同的材质组成;以及图案化上述复晶矽层,以形成浮置闸。11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述研磨程序步骤包括稀释上述氧化物蚀刻剂至预先估计的比例。12.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述形成第四介电层之步骤包括氧化反应之步骤。13.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述形成第二介电层之步骤包括形成二氧化矽之步骤。14.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述形成第三介电层之步骤包括形成氮化矽之步骤。15.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中上述形成第四介电层之步骤包括形成二氧化矽之步骤。16.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中更包括在形成第二介电层之上述步骤之前,对上述已平坦化的复晶矽层进行回火之步骤。17.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中更包括在沉积上述复晶矽层之上述步骤之后,对上述复晶矽层进行掺杂之步骤。图式简单说明:第一图至第四图系显示依据本发明之方法,改善复晶矽层表面粗糙度,以在复晶矽浮置闸上形成闸极氧化层之剖面。 |
