| 摘要 |
<p>본 발명은 하층이 상층보다 식각율이 큰 2층의 산화막을 이용한 리프트오프(lift-off)방식으로 다층 금속층을 패턴화하는 다층 금속층 형성방법을 개시한다. 이에 의하면, 실리콘기판 상에 알루미늄층의 패턴을 형성하고, 알루미늄의 패턴을 노출하는 창을 갖는 질화막의 패턴을 실리콘기판 상에 형성하고, 알루미늄의 패턴을 노출하는 창을 가지며 식각 측면 프로파일이 오버행(overhang) 구조로 이루어진 산화막의 패턴을 질화막의 패턴 상에 형성하고, 알루미늄의 패턴과 산화막 상에 함께 다층 금속층을 적층하는 과정에서 알루미늄의 패턴상에 적층된 다층 금속층과 알루미늄층의 패턴 상에 적층된 다층 금속층을 자연스럽게 끊는다. 이후, 산화막을 불산용액으로 식각하면서 산화막 상의 다층 금속층을 리프트오프시켜 알루미늄층의 패턴 상에만 다층 금속층의 패턴을 형성한다. 따라서, 본 발명은 종래와 달리 감광막을 전혀 사용하는 대신에 오버행구조의 창을 갖는 산화막을 이용하기 때문에 고융점 다층 금속을 적층할 수 있고, 다층 금속층을 리프트오프방식으로 패턴화할 수 있고, 금속층을 고온에서 적층할 수 있고, 금속 적층 때에 감광막에 의한 금속오염을 방지할 수 있다.</p> |
