| 主权项 |
1.一种在一积体电路中形成一氮化钛层之制造方法,至少包含下列步骤:提供一底材;沉积一介电层在该底材上;对该介电层图案转移以蚀刻方式在该介电层中形成一洞以曝露出该底材的一部份;沉积一氮化钛层于该洞上以一电浆促进化学气相沉积法沉积,该电浆促进化学气相沉积法之前驱物至少包含氯化钛气、氨气及氮气。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之反应前驱物包括氯化钛气、氨气及氮气,生成物包括氮化钛、NHxCly及HCl。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之反应温度为约350℃至约450℃之间。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之较佳反应温度为约400℃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氮化钛层厚度为约100埃至约300埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之压力为约0.1torr至约10torr之间。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之射频功率为约300瓦至约1000瓦之间。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氯化钛气体流量为约50单位分钟毫克(mgm)至约300单位分钟毫克(mgm)之间。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氨气体流量为约100单位分钟毫克(mgm)至约1000单位分钟毫克(mgm)之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氮气体流量为约500单位分钟毫克(mgm)至约5000单位分钟毫克(mgm)之间。11.一种在一积体电路中形成一氮化钛层之制造方法,至少包含下列步骤:提供一底材;沉积一介电层在该底材上;对该介电层图案转移以蚀刻方式在该介电层中形成一洞以曝露出该底材的一部份;沉积一氮化钛层于该洞上以一电浆促进化学气相沉积法沉积,该电浆促进化学气相沉积法之反应前驱物包括氯化钛气、氨气及氮气,生成物包括氮化钛、NHxCly及HCl。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之反应温度为约350℃至约450℃之间。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之较佳反应温度为约400℃。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该氮化钛层厚度为约100埃至约300埃之间。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之压力为约0.1torr至约10torr之间。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之射频功率为约300瓦至约1000瓦之间。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氯化钛气体流量为约50单位分钟毫克(mgm)至约300单位分钟毫克(mgm)之间。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氨气体流量为约100单位分钟毫克(mgm)至约1000单位分钟毫克(mgm)之间。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氮气体流量为约500单位分钟毫克(mgm)至约5000单位分钟毫克(mgm)之间。20.一种在一积体电路中形成一氮化钛层之制造方法,至少包含下列步骤:提供一底材;沉积一介电层在该底材上;对该介电层图案转移以蚀刻方式在该介电层中形成一洞以曝露出该底材的一部份;沉积一氮化钛层于该洞上以一电浆促进化学气相沉积法沉积,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之反应前驱物包括氯化钛气、氨气及氮气,生成物包括氮化钛、NHxCly及HCl,且该电浆促进化学气相沉积法之反应温度为约350℃至约450℃之间。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之较佳反应温度为约400℃。22.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该洞为一接触洞。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该洞为一介层洞。24.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该氮化钛层厚度为约100埃至约300埃之间。25.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之压力为约0.1torr至约10torr之间。26.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之射频功率为约300瓦至约1000瓦之间。27.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氯化钛气体流量为约50单位分钟毫克(mgm)至约300单位分钟毫克(mgm)之间。28.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氨气体流量为约100单位分钟毫克(mgm)至约1000单位分钟毫克(mgm)之间。29.如申请专利范围第20项所述之方法,其中上述之该电浆促进化学气相沉积法之氮气体流量为约500单位分钟毫克(mgm)至约5000单位分钟毫克(mgm)之间。图式简单说明:第一图为一积体电路的剖面图,其中的氮化钛层是以传统的金属有机化学气相沈积法(MOCVD)沈积,图中并显示在后续的沟填制程中接触洞导体镶入层(Conductive Stud)中的孔洞。第二图为在一场效应电晶体(FET)及两隔离区上沉积一层介电层的示意图。第三图为根据第二图,在介电层上涂布光阻层并经微影制程定义出接触洞的示意图。第四图为经蚀刻制程形成接触洞并去除光阻层的示意图。第五图为在第四图中所示之半导体结构上沉积一氮化钛层的示意图。第六图为一积体电路的剖面图,其中同时显示一接触洞及一介层洞。该接触洞及介层洞内均以电浆促进化学气相沉积法(PECVD)沉积一氮化钛阻障层。 |
