| 主权项 |
1.一种半导体光电元件,其包含:一脊形波导,其具有至少一个突出侧壁以定义一突出区域;以及一有机层,该有机层系至少填充在该侧壁之突出区域下方以帮助金属接触层之连接。2.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该金属层系沉积在该脊形之顶部且跨过该脊形之侧壁。3.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该脊形系具有反向台面之横截面。4.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该脊形系蘑菇式台面之横截面。5.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该脊形系礼帽式台面之横截面。6.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该光电元件系一调变器。7.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该光电元件系一雷射。8.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该光电元件系一开关。9.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该光电元件系一放大器。10.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中:该脊形之顶部系宽于该脊形之底部,而该有机层及该脊形系形成具有斜坡之侧壁的结构以帮助沉积在该结构之顶部及侧壁上连续金属层沉积的连接。11.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该有机层系聚醯亚胺层。12.如申请专利范围第1项之半导体光电元件,其中,该有机层系至少填充在该侧壁之突出区域下方以及该脊形之顶部下方。13.一种用于制造光电元件之制程,该制程包含:形成具有至少一个突出侧壁的脊形波导;沉积围绕住该脊形的有机层;以及蚀刻该有机层以从该波导之顶部移除该有机层,且至少在该侧壁之突出区域下方遗留该有机材料以帮助连续之金属接触层的连接。14.如申请专利范围第13项之制程,其中,该蚀刻步骤系在低气压及高电压下使用反应离子蚀刻实施之。15.如申请专利范围第14项之制程,其中,该气压系低于25毫扥。16.如申请专利范围第14项之制程,其中,该气压系约5毫扥。17.如申请专利范围第14项之制程,其中,该电压系大于350电子伏特。18.如申请专利范围第14项之制程,其中,该电压系约650电子伏特。19.如申请专利范围第14项之制程,其更包含,将氧化矽层沉积在该脊形之顶部。20.如申请专利范围第19项之制程,其更包含,将金属层沉积在在该脊形之顶部且跨过该脊形之侧壁。21.如申请专利范围第13项之制程,其中,该脊形系具有反向台面之横截面。22.如申请专利范围第13项之制程,其中,该脊形系蘑菇式台面之横截面。23.如申请专利范围第13项之制程,其中,该脊形系礼帽式台面之横截面。24.如申请专利范围第13项之制程,其中,该光电元件系一调变器。25.如申请专利范围第13项之制程,其中,该光电元件系一雷射。26.如申请专利范围第13项之制程,其中,该光电元件系一开关。27.如申请专利范围第13项之制程,其中,该光电元件系一放大器。28.如申请专利范围第13项之制程,其中,该有机层系聚醯亚胺且更包含:将矽保护层沉积在该脊形波导之顶部及侧壁上;将氧化矽保护层沉积在该脊形之顶部以及该聚醯亚胺层之顶部上;蚀刻该脊形波导之顶部以移除该氧化矽层;以及将金属层沉积在该脊形之顶部以及该侧壁之突出区域上。29.一种用于制造光电元件之制程,该制程包含:形成具有至少一个突出侧壁的脊形波导;将矽保护层沉积在该脊形波导之顶部及侧壁上;沉积围绕住该脊形的有机层;蚀刻该有机层以从该波导之顶部移除该有机层,且至少在该侧壁之突出区域下方遗留该有机材料;将氧化矽层沉积在该脊形之顶部以及该有机层之顶部上;蚀刻该脊形波导之顶部以移除该氧化矽层;以及将金属层沉积在该脊形之顶部以及该侧壁之突出区域上。30.一种半导体光电元件,其包含:一具有至少一个突出侧壁的脊形波导,该脊形之顶部系宽于该脊形之底部;以及一至少填充在该侧壁之突出区域下方的有机层,该有机层以及该脊形系形成具有斜坡侧壁之结构以帮助沉积在该结构之顶部及侧壁上之连续金属层的连接。31.如申请专利范围第30项之半导体光电元件,其中,该有机层系聚醯亚胺。32.如申请专利范围第30项之半导体光电元件,其中,氧化矽保护层系覆盖住该脊形波导之侧壁。33.如申请专利范围第32项之半导体光电元件,其中,该有机层系覆盖住该脊形波导之侧壁上的氧化矽保护层。34.如申请专利范围第33项之半导体光电元件,其中,氧化矽中间层系插入在该有机层以及该金属层之间。图式简单说明:第一图A系如本发明之包含双通道脊形波导之光电元件的概要截面图;第一图B系如本发明之包含双通道脊形波导之光电元件的概要截面图之影像;第一图C系本发明之包含双通道脊形波导之光电元件的另一张截面图之影像;第二图系制造时在脊形蚀刻之后之脊形波导的概要截面图;第三图系在沉积氧化矽保护层之后之光电元件的概要截面图;第四图系在沉积聚醯亚胺层之后之光电元件的概要截面图;第五图A系显示在蚀刻聚醯亚胺层之后其中一种结果的概要截面图;第五图B系显示在蚀刻聚醯亚胺层之后另一种结果的概要截面图;第六图系在沉积氧化矽中间层之后之光电元件的概要截面图;第七图系在蚀刻氧化矽层之前之光电元件的概要截面图;第八图系在已移除该脊形波导顶部之氧化矽层之后之光电元件的概要截面图;第九图A系显示本发明其中一种实施例所使用之另一种脊形波导构造的概要截面图;第九图B系显示本发明之另一种实施例所使用之另一种脊形波导构造的概要截面图;第十图系显示如本发明之另一种实施例之包含无通道之脊形波导之光电元件的概要截面图。 |
