| 主权项 |
1.一种制程反应室,其至少包含:a)一外壳,其具有一本体及一介电窗口;b)一支撑件,其设置于该外壳之内;c)一天线,其设置在与该介电窗口相邻处;及d)一电极,其设置在该介电窗口与该天线之间,该电极包含多个导体件并在它们之间界定了多个间隙。2.如申请专利范围第1项所述之反应室,其中该等导体件系被设置于一介电背板件上。3.如申请专利范围第2项所述之反应室,其中该背板件系连接至一支撑环且该支撑环系被设置于与该介电窗口相邻处。4.如申请专利范围第3项所述之反应室,其中该支撑环连结至该反应室且是由介电材质所制成。5.如申请专利范围第4项所述之反应室,其中该等导体件被设置成与该天线中之电流大致成直角。6.如申请专利范围第5项所述之反应室,其中该电极大致顺应该介电窗口的形状。7.如申请专利范围第1项所述之反应室,其中该电极包含多个导体件其具有一长度1及一宽度w并在相邻的导体件之间界定一宽度w的间隙。8.如申请专利范围第4项所述之反应室,其中该等导体件具有介于千分之一至千分之四英寸之间的厚度。9.如申请专利范围第7项所述之反应室,其中该等导体件系悬浮(floating)于DC地极电位之上。10.如申请专利范围第9项所述之反应室,其中该介电窗口是圆顶的或平的。11.一种可设置于一电感线圈与一介电窗口之间的电极,其至少包含:a)多个导体件,其具有一长度1及一宽度w,它们被间隔开来以在相邻的导体件间界定一间隙,该间隙的宽度系大于或等于导体件的宽度。12.如申请专利范围第11项所述之电极,其中该等导体件在相邻的导体件之间界定了多个一致的间隙。13.如申请专利范围第12项所述之电极,其进一步包含一导电的中心毂部,该等导体件即由该处延伸出。14.如申请专利范围第13项所述之电极,其进一步包含一电源及一地极藉由一开关连接至该电极。15.如申请专利范围第11项所述之电极,其中该等导体件具有一长度1及一宽度w并在相邻的导体件之间界定一间隙,间隙的宽度大致等于w。16.如申请专利范围第11项所述之电极,其中导体件的面积与间隙的面积比约为1:1。17.如申请专利范围第11项所述之电极,其中该等导体件系被设置在一介电背板件上。18.如申请专利范围第17项所述之电极,其中该等导体件是由铜所构成。19.一种降低在一电感耦合的电浆反应室中的电流密度的方法,其至少包含:a)将一电气悬浮的电压分布电极设置于一电感线圈与一反应室的介电窗口之间;及b)施加一电压至该电感线圈。20.如申请专利范围第11项所述之法,其中该电压分布电极包含多个导体件其界定了多个间隙,其中导体件的面积大致等于间隙的宽度。图式简单说明:第1图为一示意剖面图其显示本发明的一ICP蚀刻系统。第2图为本发明的一VDE之顶视图。第3图为安装于一支撑环上之VDE的上立体视图。第4图为一其上安装了一VDE之支撑环的底视图。第5图为一示意剖面图其显示本发明的一ICP蚀刻系统的另一实施例。第6图为本发明的一VDE之另一实施例的顶视图。第7图为一系统控制器的示意图,其控制装有本发明之VDE之系统的操作。第8图为一方块图,其显示电脑程式之控制结构的架构。 |
