| 主权项 |
1.一种用于乾蚀刻半导体晶圆表面的制程,此晶圆表面具有多个外部表面部分以及落在各个外部表面间的多个凹部,其中该表面系曝露在电浆蚀刻组成中且第一材料会在各凹部的低部区域内受到该电浆蚀刻组成的各向异性蚀刻作用,其特征为:于该第一材料的各向异性蚀刻作业期间,该表面系曝露在电浆淀积组成中以便淀积第二材料,并调整该电浆淀积组成和该电浆蚀刻组成的比例,其方式是将第二材料淀积在各外部表面部分上,该第二材料系用来保护各外部表面部分不受该电浆蚀刻组成的作用,且各凹陷内的第一材料系对各外部表面部分上之第二材料有选择性的方式受到蚀刻。2.如申请专利范围第1项的制程,其中调整该电浆淀积组成和该电浆蚀刻组成的比例以获致该第二材料的净成长。3.如申请专利范围第1项的制程,其中调整该电浆淀积组成和该电浆蚀刻组成的比例以获致该第二材料的初始净成长直到达成预先定义的厚度并维持该预先定义的厚度。4.如申请专利范围第1项的制程,其中淀积出其厚度小于10奈米(nm)的很薄的第二材料层。5.如申请专利范围第2项的制程,其中淀积出其厚度小于10奈米(nm)的很薄的第二材料层。6.如申请专利范围第3项的制程,其中淀积出其厚度小于10奈米(nm)的很薄的第二材料层。7.如申请专利范围第1项的制程,其中各凹部指的都是各深沟渠的轴环区域。8.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中淀积氧化矽当作该第二材料。9.如申请专利范围第8项的制程,其中该氧化矽淀积在各外部表面部分内的衬垫氮化物上。10.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中系在某个单一乾蚀刻室中执行轴环开启蚀刻步骤以及深沟渠蚀刻步骤。11.如申请专利范围第10项的制程,其中氧化物系在施行该轴环开启蚀刻步骤期间受到蚀刻。12.如申请专利范围第10项的制程,其中多晶矽系在施行该深沟渠蚀刻步骤期间受到蚀刻。13.如申请专利范围第11项的制程,其中多晶矽系在施行该深沟渠蚀刻步骤期间受到蚀刻。14.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中供应SF3.NF3.及/或CF4以便当作该电浆蚀刻组成。15.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中供应SiF4和氧气以便当作该电浆淀积组成。16.如申请专利范围第14项的制程,其中调整该电浆淀积组成和该电浆蚀刻组成的比例以维持该第二材料之淀积层内的轴环直径。17.如申请专利范围第15项的制程,其中调整该电浆淀积组成和该电浆蚀刻组成的比例以维持该第二材料之淀积层内的轴环直径。18.如申请专利范围第14项的制程,其中调整该CF4及SiF4的比例。19.如申请专利范围第11项的制程,其中调整该CF4及SiF4的比例。20.如申请专利范围第16项的制程,其中调整该CF4及SiF4的比例。21.如申请专利范围第17项的制程,其中调整该CF4及SiF4的比例。22.如申请专利范围第14项的制程,其中以氢溴酸或氩气稀释电浆。23.如申请专利范围第15项的制程,其中以氢溴酸或氩气稀释电浆。24.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中乾蚀刻作业系在感应耦合式电浆室中执行的。25.如申请专利范围第1至7项中任一项的制程,其中将各DRAM电容器形成于各沟渠内。图式简单说明:第1a和1b图系用以显示一种依本发明之制程的制造机构以及所制造出的产品。第2图系用以显示一种欲依本发明接受蚀刻作用的标准半导体结构。第3a至3d图系用以显示其净成长速率或净蚀刻速率随着电浆蚀刻组成,及电浆淀积组成量之函数而变化的曲线图。 |
