| 主权项 |
1.一种沉积之方法,至少包含下列步骤:放置一矽晶片于反应室之一晶圆台座上,其该矽晶片具有多数个接触洞;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座垂直,沉积一金属层于该矽晶片表面;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座之法线具有一倾角(tilt angle),其该倾角斜0.2度到20度之间;及沉积一金属层于该矽晶片接触洞之一侧壁,旋转该晶圆台座,使其均匀沉积一金属层于该矽晶片接触洞之内侧壁。2.一种沉积之方法,至少包含下列步骤:放置一矽晶片于反应室之一晶圆台座上,其该矽晶片具有多数个接触洞;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座垂直,沉积一金属层于该矽晶片表面;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座之法线具有一倾角(tilt angle),其该倾角斜0.2度到20度之间;沉积一金属层于该矽晶片接触洞之一侧壁;旋转该晶圆台座一角度,沉积一金属层于该矽晶片接触洞之侧壁;及再旋转该晶圆台座一角度,使其沉积一金属层于该矽晶片接触洞之侧壁,重复此动作,使均匀沉积一金属层于该矽晶片接触洞之内侧壁。3.如申请专利范围第1项所述之沉积之方法,其中上述之反应室至少包含金属靶材。4.一种离子化金属电浆沉积之方法,至少包含下列步骤:放置一矽晶片于反应室之一晶圆台座上,其该矽晶片具有多数个接触洞;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座垂直,沉积一金属层于该矽晶片表面;调整该晶圆台座位置,使沉积方向与该晶圆台座之法线具有一倾角(tilt angle),其该倾角倾斜0.2度到20度之间;及沉积一金属层于该矽晶片接触洞之一侧壁,旋转该晶圆台座,使其均匀沉积一金属层于该矽晶片接触洞之内侧壁,用以改善该矽晶片上填洞时之侧壁阶梯覆盖率(step coverage)。5.如申请专利范围第4项所述之沉积之方法,其中上述之该晶圆台座其可顺时针方向旋转或逆时针方向旋转。图式简单说明:第一图系一习知离子化金属电浆之示意图。第二图系本发明实施例中离子化金属电浆之示意图。第三图系本发明实施例之流程图。第四图系本发明另一实施例之流程图。第五图系本发明实施例中离子化金属电浆之沉积方向与该晶圆台座之法线倾角为0度时之示意图。第六图系本发明实施例中离子化金属电浆之沉积方向与该晶圆台座之法线具有一倾角之示意图。第七图系本发明实施例中离子化金属电浆之晶圆台座旋转180度且沉积方向与该晶圆台座之法线具有一倾角之示意图。第八图系本发明实施例中半导体元件之剖面图,其包含氮化钽(TaN)沉积层与铜晶层(copper seed)。 |
