发明名称 用以将半导体晶片接合至基板之黏胶图案
摘要 一种用以将一半导体晶片接合至一非均匀基板之黏胶图案。该黏胶图案系包含一双K图案形成在该基板上。该双K图案包括一最长之主要线条以及四个连接于该主要线条之较短线条。该非均匀基板包含一导电电路以及一绿漆覆盖于该基板以及电路上。该基板具有一晶片覆盖区域用以承载该半导体晶片。该导电电路包含复数条线路不均匀地分布在该晶片覆盖区域上。根据本发明之双K黏胶图案系利用黏晶机台之配送阀将黏胶点在该非均匀基板上,其中该基板上双K黏胶图案之主要线条与晶片覆盖区域边界之间的区域之线路密度系小于该基板上其他区域之线路密度。
申请公布号 TW503530 申请公布日期 2002.09.21
申请号 TW090119841 申请日期 2001.08.09
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 褚福堂;滕冀平
分类号 H01L23/00 主分类号 H01L23/00
代理机构 代理人 花瑞铭 高雄巿前镇区中山二路七号十四楼之一
主权项 1.一种用以将一半导体晶片接合至一基板之黏胶图案,该基板具有一导电电路以及一绿漆覆盖于其上,其中该基板具有一晶片覆盖区域用以承载该半导体晶片,该黏胶图案系包含一双K图案形成在该基板上,该双K图案包括一最长之主要线条以及四个连接于该主要线条之较短线条。2.依申请专利范围第1项之用以将一半导体晶片接合至一基板之黏胶图案,其中该基板之导电电路包含复数条线路不均匀地分布在该晶片覆盖区域上,并且该基板上位于该双K图案主要线条与该晶片覆盖区域边界之间的区域,其线路密度系小于该基板上其他区域之线路密度。3.一种黏晶制程,其系包含:提供一基板包含一导电电路以及一绿漆覆盖于该基板以及电路上,该绿漆具有大致均匀之厚度,其中该导电电路上用以电性连接之区域系裸露于该绿漆,该基板具有一晶片覆盖区域用以承载一半导体晶片,该导电电路至少有一部份系形成在该晶片覆盖区域上,并且该部份之导电电路具有非均匀分布之布局图案(layout pattern);形成一具有双K图案之黏胶于基板上;将该半导体晶片置于该黏胶上;及固化该黏胶。4.依申请专利范围第3项之黏晶制程,其中该双K图案系包含一最长之主要线条以及四个连接于该主要线条之较短线条。5.依申请专利范围第4项之黏晶制程,其中该导电电路包含复数条线路不均匀地分布在该晶片覆盖区域上使得该基板上介于该主要线条以及该晶片覆盖区域边界之间的区域的线路密度系小于该基板上其他区域之线路密度。图式简单说明:第1图:雪星黏胶图案涂布于基板上之上视图;第2图:晶片置放在第1图之已涂布雪星黏胶图案之基板上之X光图;第3图:双Y黏胶图案涂布于基板上之上视图;第4图:晶片置放在第3图之已涂布双Y黏胶图案之基板上之X光图;第5图:星形黏胶图案涂布于基板上之上视图;第6图:晶片置放在第5图之已涂布星形黏胶图案之基板上之X光图;及第7图:双K黏胶图案涂布于基板上之上视图;第8图:晶片置放在第7图之已涂布双K黏胶图案之基板上之X光图。
地址 高雄巿楠梓区加工出口区经三路二十六号
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