| 摘要 |
<p>본 발명은 선택적 에피택셜 성장층을 가진 반도체 장치 및 그 소자분리방법에 관한 것으로서, 특히 실리콘 기판 상에 소자 분리용 절연층을 형성하는 단계와, 측벽이 소정 각도의 포지티브 경사를 가지도록 상기 소자 분리용 절연층을 선택적으로 식각하여 상기 실리콘 기판의 표면이 노출되도록 개구부를 형성하는 단계와, 상기 개구부 내에 노출된 실리콘을 시드로 하여 상기 절연층의 높이 보다 낮게 선택적으로 에피택셜 성장시키는 단계와, 상기 에피택셜 성장된 실리콘 표면에 희생 산화막을 형성하는 단계와, 상기 희생산화막을 제거하는 단계를 포함한다.</p> |
