| 主权项 |
1.一种阶梯式开口的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一第一介电层、一蚀刻终止层、一第二介电层;在该第二介电层上形成一第一罩幕层;在该第一罩幕层上形成一第二罩幕层;在该第二罩幕层上形成一第三罩幕层;图案化该第三罩幕层,以形成一第一开口;以该第三罩幕层为罩幕,去除部份该第二罩幕层、该第一罩幕层、该第二介电层以及该蚀刻终止层,以使该第一开口形成露出该第一介电层表面的一第二开口;去除该第二开口侧壁之部份该第二罩幕层,以于该第开口形成一内凹结构;去除该第三罩幕层;以该第二罩幕层为罩幕,去除部份该第一罩幕层、该第二介电层以及该第一介电层,以于该第二开口中露出该蚀刻终止层表面以及该基底表面;以及去除该第二罩幕层以及该第一罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第一罩幕层之材质包括有机材料。3.如申请专利范围第2项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层的材质包括氧化矽。4.如申请专利范围第3项所述之阶梯式开口的制造方法,其中形成该第二罩幕层的方法包括液相沈积法(LiquidPhase Deposition, LPD)。5.如申请专利范围第3项所述之阶梯式开口的制造方法,其中去除该第二开口侧壁之部份该第二罩幕层的方法包括一湿式蚀刻法。6.如申请专利范围第5项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻液包括氢氟酸。7.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二开口系选自一沟渠、一接触窗开口与一介层窗开口所组之族群。8.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层与该第一罩幕层具有一高蚀刻选择比。9.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层与该第三罩幕层具有一高蚀刻选择比。10.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层的蚀刻速率大于该第一介电层以及该第二介电层的蚀刻速率。11.如申请专利范围第1项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第一罩幕层的材质系选自氮化矽、氮氧化矽所组之族群。12.一种阶梯式开口的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一基底;在该基底上依序形成一第一介电层、一蚀刻终止层、一第二介电层;在该第二介电层上依序形成一第一罩幕层、一第二罩幕层、一第三罩幕层;在该第三罩幕层、该第二罩幕层、该第一罩幕层、该第二介电层以及该蚀刻终止层中形成一内凹开口,其中该内凹开口位于该第二罩幕层的宽度大于位于该第三罩幕层、该第一罩幕层、该第二介电层以及该蚀刻终止层的宽度,并且于该内凹开口底部露出该第一介电层的表面;去除该第三罩幕层,以使该内凹开口形成一第一开口;以该第二罩幕层为罩幕,去除部份该第一罩幕层、该第二介电层以及该第一介电层,以于该第一开口中露出该蚀刻终止层表面以及该基底表面;以及去除该第二罩幕层以及该第一罩幕层。13.如申请专利范围第12项所述之阶梯式开口的制造方法,其中形成该内凹开口的方法包括下列步骤:定义该第三罩幕层、该第二罩幕层、该第一罩幕层、该第二介电层以及该蚀刻终止层以形成一第二开口,其中该第二开口露出该第一介电层;以及去除该第二开口侧壁之部份该牺牲层,以形成该内凹开口。14.如申请专利范围第13项所述之阶梯式开口的制造方法,其中去除该第二开口侧壁之部份该第二罩幕层的方法包括一非等向性蚀刻法。15.如申请专利范围第12项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第一开口系选自一沟渠、一接触窗开口与一介层窗开口所组之族群。16.如申请专利范围第12项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层与该第一罩幕层具有一高蚀刻选择比。17.如申请专利范围第12项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层与该第三罩幕层具有一高蚀刻选择比。18.如申请专利范围第12项所述之阶梯式开口的制造方法,其中该第二罩幕层的蚀刻速率大于该第一介电层以及该第二介电层的蚀刻速率。图式简单说明:第1A图至第1F图是依据本发明较佳实施例之一种阶梯式开口的制造流程的剖面示意图。 |
