| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:用以形成复数个功能区块的区域;及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,其中用以形成功能区块的每个区域包含一多层配线,而用以形成用来连接邻近功能区块之配线层的区域包含由信号线路与接地线路所组成的同轴线路,其中接地线路透过绝缘膜环绕着信号线路。2.根据申请专利范围第1项所述之半导体装置,其中设于用以形成功能区块中之配线层的任一配线底面皆与设于用以形成配线层以连接功能区块之区域中的配线层底面位在相同的平面上。3.一种半导体装置,包含:用以形成复数个功能区块的的区域;及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,其中用以形成功能区块的每个区域皆包含一多层配线,而用以形成用来连接功能区块之配线层的区域包含一传送线路,其是由信号线路与形成于信号线路之上下的接地线路或电源线路所组成,且分别透过绝缘膜将信号线路夹在其中。4.根据申请专利范围第3项所述之半导体装置,其中设于用以形成功能区块中之配线层的任一配线底面皆与设于用以形成配线层以连接功能区块之区域中的接地线路或电源线路底面位在相同的平面上。5.一种半导体装置,包含:用以形成复数个功能区块的的区域;及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,其中用以形成功能区块的每个区域包含一多层配线,而用以形成用来连接功能区块之配线层的区域包含比功能区块中之配线层为厚的配线层,且设于用以形成功能区块中之配线层的任一配线底面皆与设于用以形成配线层以连接功能区块之区域中的配线层底面位在相同的平面。6.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置具有用以形成复数个功能区块的区域及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,该方法包含以下步骤:在用以形成功能区块之区域中的下面绝缘膜中形成对应于第一配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的下面绝缘膜中形成对应于接地线路之下部的槽,该接地线路环绕着单一线路以形成同轴线路;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第一配线层与接地线路的下部;淀积能够避免配线材料扩散的第一绝缘膜、淀积第一内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第一内层绝缘膜中形成用以连接第一配线层与第二配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部的槽;在用以形成功能区块的区域中形成对应于第二配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块的区域中形成对应于信号线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第二配线层与接地线路的下部及信号线路;淀积能够避免配线材料扩散的第二绝缘膜、淀积第二内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第二内层绝缘膜中形成用以连接第二配线层与第三配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部的槽;在用以形成功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于第三配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于接地线路之上部的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第三配线层与接地线路的上部;及淀积能够避免配线材料扩散的第三绝缘膜。7.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置具有用以形成复数个功能区块的区域及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,该方法包含以下步骤:在用以形成功能区块之区域的下面内层绝缘膜中形成对应于第一配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域的下面内层绝缘膜中形成对应于接地线路下部或电源线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第一配线层与下部接地线路或电源线路;淀积能够避免配线材料扩散的第一绝缘膜、淀积第一内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第一内层绝缘膜中形成用以连接第一配线层与第二配线层的洞;在用以形成功能区块的区域中形成对应于第二配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块的区域中形成对应于信号线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第二配线层及信号线路;淀积能够避免配线材料散的第二绝缘膜、淀积第二内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第二内层绝缘膜中形成用以连接第二配线层与第三配线层的洞;在用以形成功能区块的区域中形成对应于第三配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块的区域中形成对应于上部接地线路或电源线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第三配线层与上部接地线路或电源线路;及淀积能够避免配线材料扩散的第三绝缘膜。8.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置具有用以形成复数个功能区块的区域及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,该方法包含以下步骤:在用以形成功能区块之区域的下面绝缘膜中形成对应于第一配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域的下面绝缘膜中形成对应于接地线路之下部的槽,该接地线路环绕着单一线路以形成同轴线路;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第一配线层与接地线路的下部;淀积能够避免配线材料扩散的第一绝缘膜、淀积第一内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第一内层绝缘膜中形成用以连接第一配线层与第二配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部的槽;在用以形成功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于第二配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于信号线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第二配线层、接地线路的侧部及信号线路;淀积能够避免配线材料扩散的第二绝缘膜、淀积第二内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第二内层绝缘膜中形成用以连接第二配线层与第三配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部与信号线路的槽;在用以形成功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于第三配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第二内层绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部与信号线路的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第三配线层与信号线路;淀积能够避免配线材料扩散的第三绝缘膜、淀积第三内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第三内层绝缘膜中形成用以连接第三配线层与第四配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第三绝缘膜中形成对应于接地线路之侧部的槽;在用以形成功能区块之区域中的第三内层绝缘膜中形成对应于第四配线层的槽,并同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第三内层绝缘膜中形成对应于接地线路之上部的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第四配线层与接地线路的上部;及淀积能够避免配线材料扩散的第四绝缘膜。9.一种制造半导体装置的方法,该半导体装置具有用以形成复数个功能区块的区域及一个用以形成用来连接功能区块之配线层的区域,该方法包含以下步骤:在用以形成功能区块之区域的下面绝缘膜中形成对应于第一配线层的槽;利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第一配线层;淀积能够避免配线材料扩散的第一绝缘膜、淀积第一内层绝缘膜,然后在用以形成功能区块之区域的第一内层绝缘膜中形成用以连接第一配线层与第二配线层的洞,且同时在用以形成配线层以连接功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于信号线路的槽;在用以形成功能区块之区域中的第一内层绝缘膜中形成对应于第二配线层的槽,利用Damascene制程在槽中形成金属障层、形成配线材料层,然后使配线材料层承受化学机械抛光以使配线材料层只留在槽中,因此形成第二配线层及信号线路;及淀积能够避免配线材料扩散的第二绝缘膜。图式简单说明:图1显示习知半导体装置之配线结构的断面图;图2显示图解本发明之半导体装置的平面图;图3(1)至3(3)显示图解本发明之半导体装置的断面图;图4(A-1)至4(B-4)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图5(A-1)至5(B-2)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图6(A-1)至6(B-5)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图7(A-1)至7(B-4)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图8(A-1)至8(B-2)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图9(A-1)至9(B-4)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;图10(A-1)至10(B-3)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图;及图11(A-1)至11(B-5)显示图解本发明半导体装置之制造步骤的断面图。 |
