| 主权项 |
1.一种形成导电性氧化锡膜图型之方法,其特征为使用将有机溶剂中可溶之锡化合物和掺混剂化合物于该有机溶剂中溶解的溶液,前于该乾燥膜对于显像液保持溶解性之范围内乾燥,经由含有紫外线区域之光线予以曝光令部分呈现不溶,且以显像液将未曝光部予以蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其为由下述步骤(A)、(B)及(C)所构成(A):形成令有机溶剂中可溶之锡化合物和掺混剂化合物于该有机溶剂中溶解之溶液之步骤、(B):将(A)步骤所得之溶解液于基材上涂布,并令该基板上所形成之被膜乾燥,形成乾燥膜之步骤、(C):对(B)步骤所得之乾燥膜以含有紫外线区域之光线转印图型,其次将构成转印图型之乾燥膜以显像液予以蚀刻,形成部分显像之图型膜之步骤,其次将该图型膜烧,生成氧化锡(IV)膜之步骤。3.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中掺混剂化合物为锑化合物和/或氟化合物。4.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中锑化合物相对于锡化合物,使用原子比为2~30莫耳%。5.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中氟化合物相对于锡化合物,使用原子比为2~60莫耳%。6.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中于有机溶剂中溶解之溶液中的锡化合物及掺混剂化合物浓度以固形成分浓度而言为2~30重量%。7.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中含有紫外线区域之光线为含有180nm以上400nm以下波长之光线。8.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中显像液为硷性显像液或酸性显像液。9.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中于基材上所形成之被膜的乾燥温度为在室温~150℃之范围内。10.如申请专利范围第1或2项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中该图型乾燥膜之烧温度为350℃以上。11.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中于有机溶剂中溶解之溶液中的锡化合物及掺混剂化合物浓度以固形成分浓度而言为2~30重量%。12.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中含有紫外线区域之光线为含有180nm以上400nm以下波长之光线。13.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中显像液为硷性显像液或酸性显像液。14.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中于基材上所形成之被膜的乾燥温度为在室温~150℃之范围内。15.如申请专利范围第3项之形成导电性氧化锡膜图型之方法,其中该图型乾燥膜之烧温度为350℃以上。图式简单说明:图1~图4为将本发明之形成导电性氧化锡膜图型之方法的实施例1以时序式示出的截面图。图1:将含有锡化合物之溶液于基板上涂布,并且乾燥之截面图。图2:透过图型光罩物,照射紫外线且曝光之截面图。图3:以硷性显像液将未曝光部之乾燥膜予以蚀刻之截面图。图4:烧形成氧化锡(IV)膜之截面图。 |
