| 主权项 |
1.一种在一半导体元件中稳定一低介电常数介电层的方法,该方法至少包括:提供该半导体元件;旋涂一高分子层于该半导体元件上,该高分子层含有未饱和碳-碳键的组成成分;及以含氨气处理该高分子层。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括固化该高分子层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高分子层至少含有碳-碳双键的组成成分。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之高分子层至少含有碳-碳三键的组成成分。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之处理步骤于电浆环境下完成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之处理步骤在一电浆增益化学气相沈积的反应室中完成。7.一种在一半导体元件中稳定一低介电常数介电层的方法,该方法至少包括:提供该半导体元件;旋涂一高分子层于该半导体元件上,该高分子层含有未饱和碳-碳键的组成成分;固化该高分子层使得该未饱和碳-碳键形成交联;及以含氨气(NH3)处理饱和未耗尽之该未饱和碳-碳键。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之饱和步骤于电浆环境下完成。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之处理步骤在一电浆增益化学气相沈积的反应室中完成。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之饱和步骤是以氢游离子饱和未耗尽之该未饱和碳键成分。图式简单说明:第一图为传统方法低介电常数介电质应用在单镶嵌结构中的剖面示意图;及第二图为本发明方法低介电常数介电质应用在单镶嵌结构中的剖面示意图。 |
