发明名称 真空电弧气相沉积方法及装置
摘要 为防止滤磁器之磁场之薄膜形成特征恶化,藉以使真空电弧气相沉积均匀,在本发明,复数之磁铁包括一最靠近一位于导管另一端之电浆注射孔之端子磁铁及规定之磁铁。位于最靠近电浆注射孔之端子磁铁,可设定为倾斜于电浆注射孔之电浆注射面。而且,至少规定之磁铁之一可倾斜于电浆注射面。再者,至少磁场产生线圈之一可形成有复数之电磁线圈,其相对于导管之剖面倾斜成不同角度。电磁线圈之一可依据设定及控制滤磁器所产生之磁场之偏转,而由电流予以选择性通电。
申请公布号 TW200303370 申请公布日期 2003.09.01
申请号 TW091134753 申请日期 2002.11.29
申请人 日新电机股份有限公司 发明人 村上泰夫;三上隆司;緖方洁;村上浩
分类号 C23C14/24 主分类号 C23C14/24
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本