| 摘要 |
一第一放大器把一连接到静态记忆体细胞之第一局部位元线的电压放大。用于把一连接到该第一放大器之输出端之第一通用位元线预先充电的预先充电电路分别经由该第一通用位元线之两端来供应一预先充电电流。由于该预先充电电流系在两个方向上流过该第一通用位元线，电迁移基准能够比电流在一个方向上流动的情况宽松。这样系使得要避免由于该第一通用位元线之电迁移而发生的缺陷是有可能的。由于该第一通用位元线在导线宽度上能够被缩减，要使该布局面积减至最小程度是有可能的。结果，该半导体记忆体在晶片尺寸上及在晶片成本上能够被缩减。 |
