发明名称 矽上液晶行记忆体效应之降低
摘要 本发明关于降低行记忆体效应之方法。本方法包括激励(212)一复数个列电极,选择性施加(214)一视频输入信号至复数个行电极,及设定(216)至少复数个行电极其中一者在激励随后之列电极前为恒定电压等步骤。在一配置中,实际上之恒值电压与一平面场有关。此方法亦包括重覆激励复数个列电极之步骤,选择性供应视频输入信号之步骤及设定至少复数个行电极其中一者为恒值电压之步骤,其中,步骤可实施在矽影像器之液晶上。
申请公布号 TW588302 申请公布日期 2004.05.21
申请号 TW091112370 申请日期 2002.06.07
申请人 汤普生认证公司 发明人 当劳 亨瑞 威尔斯
分类号 G09G3/00 主分类号 G09G3/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种降低视频影像器中行记忆体效应之方法,含下列步骤:激励复数个列电极其中一者;选择性施加一视频输入信号至复数个行电极;及在激励随后列电极之前,设定至少复数个行电极其中一者为实际上恒値电压。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该实际上恒値电压与平面场有关。3.如申请专利范围第1项之方法,进一步含下列步骤:循环重覆激励,选择性施加及设定步骤;以及利用该循环重覆步骤以控制在矽影像器上之液晶。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该激励步骤之至少一部分系顺序实施。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该激励步骤之至少一部分系非顺序实施。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该激励步骤进一步含激励一与主动显示线有关之一列电极。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该设定至少复数个行电极其中一者为实际上恒値电压之步骤进一步包含下列步骤:将视频输入信号写入记忆体;一旦复数个行电极已设定为实际上恒値电压,激励随后之列电极;及选择性施加自记忆体之视频输入信号至复数个行电极。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该设定至少复数个行电极其中一者为实际上为恒値电压之步骤,包含激励与一隐藏式显示线有关之随后列电极,俾与实际上恒値电压有关之实际上恒定亮度可显示于隐藏式显示线上。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该设定至少复数个行电极其中一者为实际上恒値电压之步骤包含下列步骤:在激励随后列电极之前,施加一脉冲至连接至少一开关之终端,其中该脉冲激励该开关;及经至少一开关设定复数个行电极为实际上恒値电压。10.一种降低行记忆体效应之系统,包含:一控制器,其中该控制器程式后以激励复数个列电极其中一者;一开关控制,以选择性施加一视频输入信号至复数个行电极;及一电路,在控制器激励随后列电极之前,设定至少复数个行电极其中一者为实际上恒値电压。11.如申请专利范围第10项之系统,其中该实际上恒値电压与一平面场有关。12.如申请专利范围第10项之系统,其中该控制器进一步程式化以重覆激励复数个列电极其中一者,开关控制重覆施加视频输入信号至复数个行电极,及结构在处理器激励随后列电极之前,重覆设定复数个行电极为实际上恒値电压,其中该处理器,开关及结构均包含于矽影像器上之液晶中。13.如申请专利范围第12项之系统,其中该控制器进一步程式后以顺序激励至少一部分列电极。14.如申请专利范围第12项之系统,其中该控制器进一步程式后以非顺序地激励至少一部分列电极。15.如申请专利范围第10项之系统,进一步包含一具有主动显示线之影像器,其中该控制器进一步程式化以激励与一主动显示线有关之一列电极。16.如申请专利范围第10项之系统,其中该结构进一步包含:一供储存视频输入信号之记忆体;及一多工器,其中该控制器进一步程式后,在一旦复数个行电极被设定为实际上恒値电压后,激励随后列电极,其中该多工器馈送自记忆体之视频输入信号至开关控制,以选择性施加视频输入信号至复数个行电极。17.如申请专利范围第16项之系统,进一步包含一具有显示线之影像器,其中至少一部分显示线系隐藏式显示线,其中该控制器进一步程式后激励与一隐藏式显示线其中一者有关之随后列电极,俾与实际上恒値电压有关之实际上恒等之亮度可被显示于隐藏式显示线上。18.如申请专利范围第10项之系统,其中之结构进一步包含至少一开关连接至一终端及一储存实际上恒値电压之共同电压源,其中,在激励随后列电极之前,控制器进一步程式化以施加一脉冲至一终端,其中该脉冲激励该开关,其中该共同电压源经至少经一开关设定复数个行电极为实际上恒値电压。图式简单说明:图1说明一LCOS影像器之一部分。图2说明本发明之配置中降低影像器之行记忆体效应之方法。图3说明一系统之一例,其可用以设定至少一复数个行电极为实际上根据本发明之一恒値电压。图4说明系统之另一例,其可用以设定至少一复数个行电极为实际上根据本发明之一恒値电压。图5说明系统之另一例,其可用以设定至少一复数个行电极为本发明之恒値电压。
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