动态流程半导体晶片的测试方法

摘要

一种动态流程半导体晶片的测试方法，系将所有的测试项目区分为一组必要测试项目与多组选择测试项目，该组必要测试项目中的多个测试项目系针对每一晶片进行测试，接着再视必要项目测试的结果而决定是否进行或挑选之后的多组选择测试项目。因本发明对每个晶片进行必要测试项目，之后再视其结果选择性进行之后的测试，故本发明不但可以节省测试的时间，更可以在测试阶段中，藉由必要测试项目所反应出每一晶片的差异，即时挑选每一个晶片之后的选择测试项目，达到测试涵盖范围的最佳化。

主权项

1.一种动态流程半导体晶片的测试方法,至少包括:提供一组必要测试项目与复数组选择测试项目,其中,该组必要测试项目包括复数个必要测试项,而该些组选择测试项目包括复数个选择测试项;提供一待测物,以该组必要测试项目测试该待测物,得到一第一测试结果;以及以该第一测试结果为依据,选择是否进行该些组选择测试项目的测试,其中,该些必要测试项与该些选择测试项系为相异之测试。2.如申请专利范围第1项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该待测物包括一晶片。3.如申请专利范围第1项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该组必要测试项目包括短路/开路测试、直流电性测试、一基本功能测试等项目。4.如申请专利范围第3项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该基本功能测试包括启始电压测试、阻値测试、漏电流测试与电流测试。5.如申请专利范围第1项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该些选择测试项包括留存时间测试(Retention Time)、高电压测试、可靠度测试等项目。6.一种动态流程半导体晶片的测试方法,至少包括:提供一组必要测试项目与复数组选择测试项目,其中,该组必要测试项目包括复数个必要测试项,而该些组选择测试项目包括复数个选择测试项;提供一待测物,以该组必要测试项目测试该待测物,得到一第一测试结果;以及以该第一测试结果为依据,挑选该些细选择测试项目中的至少一组选择测试项目进行测试,其中,该些必要测试项与该些选择测试项系为相异之测试。7.如申请专利范围第6项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该待测物包括一晶片。8.如申请专利范围第6项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该组必要测试项目包括短路/开路测试、直流电性测试、一基本功能测试等项目。9.如申请专利范围第8项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该基本功能测试包括启始电压测试、阻値测试、漏电流测试与电流测试。10.如申请专利范围第6项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该些选择测试项包括留存时间测试(Retention Time)、高电压测试、可靠度测试等项目。11.一种动态流程半导体晶片的测试方法,至少包括:提供一组必要测试项目与复数组选择测试项目,其中,该组必要测试项目包括复数个必要测试项,而该些组选择测试项目包括复数个选择测试项;提供一待测物,以该组必要测试项目测试该待测物,得到一第一测试结果;以该第一测试结果为依据,挑选该些组选择测试项目中至少一组选择测试项目进行测试,得到一第二测试结果;以及以该第一测试结果、第二测试结果为依据,挑选该些组选择测试项目中至少一组选择测试项目进行测试,其中,该些必要测试项与该些选择测试项系为相异之测试。12.如申请专利范围第11项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该待测物包括一晶片。13.如申请专利范围第11项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该组必要测试项目包括短路/开路测试、直流电性测试、基本功能测试等项目。14.如申请专利范围第12项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该基本功能测试包括启始电压测试、阻値测试、漏电流测试与电流测试。15.如申请专利范围第11项所述之动态流程半导体晶片的测试方法,其中该些选择测试项包括留存时间测试(Retention Time)、高电压测试、可靠度测试等项目。图式简单说明:第1图~第3图绘示为依照本发明一较佳实施例之动态流程半导体晶片的测试方法的流程示意图。