发光元件及发光元件之制造方法

摘要

在本发明之发光元件100中，系以具有发光层部24之化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面之主金属层10结合元件基板7而构成；该反射面系使来自该发光层部24之光往该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板7系以导电型为p型之Si基板所构成，且在该元件基板7之主金属层侧10之主表面正上方形成以Al为主成分之接触层31。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合之构造之发光元件中，具有良好之导电性之发光元件及其制造方法。