在以P型场效电晶体为基础之非消失性记忆体单元中预防过隧穿之方法及装置METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING OVERTUNNELING IN pFET-BASED NONVOLATILE MEMORY CELLS

摘要

本发明揭示在以p型场效电晶体为基础之非消失性浮闸记忆体(nonvolatilememory；NVM)单元中预防过隧穿之方法及装置。在电荷载子自一以p型场效电晶体为基础之NVM单元中的一浮闸移除之一隧穿过程中，一记忆体单元电晶体之一通道电流受到监控，并与一在该记忆体单元之一注入电晶体中保持一导电通道所需之预定最小通道电流比较。当该受监控通道电流降至低于该预定最小通道电流时，电荷载子藉由撞击离子化热电子注入(impact–ionizedhot–electroninjection；IHEI)方法注入该浮闸上从而避免过隧穿。