发明名称 用于超导体元件之压印微影法
摘要 本揭露之一态样系有关在一基材上来构建一超导体元件的方法,包含沈积一压印层于该基材的至少一部份上。该压印层会被压印来形成一压印部份与一非压印部份。一超导体层会被沈积在该压印层的至少一部份压印部份上。
申请公布号 TW200428475 申请公布日期 2004.12.16
申请号 TW092135225 申请日期 2003.12.12
申请人 惠普研发公司 发明人 史塔席克 詹姆斯;柯尼洛威斯 帕维尔
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 美国