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发明名称
用于超导体元件之压印微影法
摘要
本揭露之一态样系有关在一基材上来构建一超导体元件的方法,包含沈积一压印层于该基材的至少一部份上。该压印层会被压印来形成一压印部份与一非压印部份。一超导体层会被沈积在该压印层的至少一部份压印部份上。
申请公布号
TW200428475
申请公布日期
2004.12.16
申请号
TW092135225
申请日期
2003.12.12
申请人
惠普研发公司
发明人
史塔席克 詹姆斯;柯尼洛威斯 帕维尔
分类号
H01L21/02
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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