| 主权项 |
1.一种应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其步骤包含有:提供一矽粉末;压胚成型该矽粉末以形成一生胚;及将该生胚进行一烧结处理以形成一矽基板,该烧结处理之烧结温度系于摄氏1050度至1400度之间。2.如申请专利范围第1项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该矽粉末之制造方法系选自水喷雾、气喷雾及研磨方法。3.如申请专利范围第1项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该矽粉末的较佳粒径为30微米至100微米。4.如申请专利范围第1项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该压胚成型该矽粉末以形成该生胚的步骤之前,更包含一于该矽粉末中加入一黏结剂的步骤。5.如申请专利范围第4项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该黏结剂系占矽粉末1%至50%重量百分率。6.如申请专利范围第4项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该黏结剂系选自铝和铟金属微细粉末所组成的族群其中之一。7.如申请专利范围第4项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该黏结剂系为一高分子黏结剂。8.如申请专利范围第7项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该高分子黏结剂系选自硬脂酸、硬脂酸锌、硬脂酸锂与蜡粉所组成的族群其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该烧结处理系选自一真空烧结处理、一气氛烧结处理、一高压气氛烧结处理及一热压烧结处理其中之一。10.如申请专利范围第9项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该高压气氛烧结处理系使该生胚于2至5个大气压的高压气氛下进行烧结。11.如申请专利范围第10项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该高压气氛烧结处理之烧结温度系介于摄氏1250度至1400度。12.如申请专利范围第9项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该热压烧结处理系将生胚置于热压烧结炉,于5至20百万帕(Mpa)的压力下进行烧结。13.如申请专利范围第12项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该热压烧结处理之烧结温度为摄氏1100度至1300度。14.如申请专利范围第1项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,更包含一于该矽基板表面融渗一金属以封闭该矽基板表面孔隙的步骤。15.如申请专利范围第14项所述之应用于太阳能电池之矽基板的制造方法,其中该金属系选自铝及铟所组成之族群其中之一。图式简单说明:第1图为矽粉末之水喷雾制造装置示意图;及第2图为本发明实施例的制造流程图。 |
