在基底上形成不同介电层或闸极介电层厚度之方法及具有多重闸极氧化层厚度之积体电路之形成方法

摘要

本发明揭示一种在基底上形成不同闸极介电层厚度之方法。首先，在基底上提供第一主动区及第二主动区。在基底上形成第一热氧化层。接着，在基底上方全面性沉积一介电层，其具有第一厚度。之后，去除第二主动区上的介电层及其下方之第一热氧化层，以露出基底。在第二元件区上形成第二热氧化层，其具有小于第一厚度之第二厚度。最后，在第一主动区上方的介电层上形成第一闸极且在第二主动区上方的第二热氧化层上形成第二闸极。