发明名称 液晶显示装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种亮度高且显示特性良好之MVA液晶显示装置。另,提供一种制造容限大且成品率高之显示特性良好的MVA液晶显示装置。其为配备设有第1电极之第1基板、设有对应显示像素之第2电极的第2基板、具有被封入第1及第2基板之间的具有负的电介质各向异性之液晶,和分别被设置在第1及第2基板之用以控制液晶的定向之构造物;其中第1基板之构造物为线状的突起构造,且具备有自突起构造延伸出之与第2电极的各别相对端部相对向之至少两个辅助突起构造,且两个辅助突起构造与第2电极相对向之宽度皆构成为6μm以上。
申请公布号 TWI234040 申请公布日期 2005.06.11
申请号 TW089113568 申请日期 2000.07.07
申请人 富士通显示技术股份有限公司 发明人 井上弘康;谷口洋二;田中义规;佐佐木贵启;冈元谦次;大谷稔;泽崎学;藤川彻也;林省吾;角一彦;田野濑友则
分类号 G02F1/1337 主分类号 G02F1/1337
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种液晶显示装置(100),其具备设有第1电极(26)之第1基板(22),和设有对应于显示像素之第2电极(16)的第2基板(24),和具有被封入前述第1及第2基板(22、24)之间的具有负的电介质各向异性之液晶(Lc),和分别被设置在前述第1及第2基板(22、24)之用以控制液晶的定向之构造物(20、20a、18);特征在于,前述第1基板之前述构造物(20、20a)为线状的突起构造(20),且进一步具备自前述突起构造(20)延伸出之与前述第2电极(16)的各别相对端部相对向之辅助突起构造(20a),且前述辅助突起构造(20a)之宽度(d1)较前述突起构造(20)的宽度更长。2.一种液晶显示装置(110),其具备设有第1电极(26)之第1基板(22),和设有对应像素之第2电极(16)的第2基板(24),和具有被封入前述第1及第2基板(22、24)之间的具有负的电介质各向异性之液晶(Lc),和分别被设置在前述第1及第2基板(22、24)之用以控制液晶的定向之构造物(20、20b、18');特征在于,前述第1基板(22)之前述构造物(20、20b)为被配置在相对于前述像素呈倾斜的线上之突起构造,而且藉前述突起构造(20、20b)和前述第2基板(24)之构造物(18')所区划成的区域之与前述突起构造(20)形成钝角的前述第2电极(16)之端部,其至少一部分系延伸在外侧。3.如申请专利范围第2项之液晶显示装置,其特征在于设有与前述第2电极之延伸部分相对向,且自前述突起构造延伸出之辅助突起构造。4.如申请专利范围第2项之液晶显示装置,其特征在于,前述第2电极之延伸部分具有与透过绝缘膜而被形成于前述第2基板之配线重叠的部分。5.一种液晶显示装置(100),其具备形成有彩色滤光器(R、G、B)之CF(彩色滤光器)基板(22)、每个像素都形成有像素电极(16)之TFT(薄膜电晶体)基板(24)、被封入前述CF基板(22)与TFT基板(24)之间的具有负的电介质各向异性之液晶(Lc),和分别被设于前述CF基板(22)及TFT基板(24)用以控制前述液晶(Lc)之定向的构造物(20、20a、18);特征在于,前述CF基板(22)之构造物(20、20a)为线状的突起构造(20),并进一步具备自前述突起构造(20)延伸出,与前述像素电极(16)之相对的端部相对向之辅助突起构造(20a),且前述辅助突起构造(20a)被形成在未产生因前述彩色滤光器(R、G、B)导致的高低差异之平坦区域(21)上。6.一种液晶显示装置,其具备形成有彩色滤光器(R、G、B)之CF基板(22)、于每个像素形成有像素电极(16)之TFT基板(24)、被封入前述CF基板(22)与TFT基板(24)之间的具有负的电介质各向异性之液晶(Lc),和分别被设于前述CF基板(22)及TFT基板(24)之用以控制前述液晶(Lc)之定向的构造物(20);特征在于,前述CF基板(22)之构造物(20)具有未残留前述CF基板(22)之洗净处理中的洗净液之线状突起构造(bRG等)。7.一种液晶显示装置之制造方法,其系于形成有彩色滤光器之CF基板上,形成用以在与相对向基板之间获得预定的晶胞间隙之柱状间隔物,并于前述CF基板上形成具有较柱状间隔物为低的高度之用以控制液晶的定向之突起构造物,且将前述CF基板与在每个像素形成有像素电极之TFT基板贴合,再于前述CF基板与TFT基板之间将具有负的电介质各向异性的液晶加以密封之液晶显示装置制造方法中,特征在于同时形成前述柱状间隔物与前述突起构造物。8.一种液晶显示装置,其具备形成有彩色滤光器(R、G、B)之CF基板(22)、于每个像素形成有像素电极(16)之TFT基板(24)、被封入前述CF基板(22)与TFT基板(24)之间的具有负的电介质各而异性之液晶(Lc),和分别被设于前述CF基板(22)及TFT基板(24)之用以控制前述液晶(Lc)之定向的构造物(20、21);特征在于,前述CF基板(22)之构造物(21)系被埋入形成在前述彩色滤光器(R、G、B)之沟中的线状绝缘层(21)。9.一种液晶显示装置,其具备形成有彩色滤光器(R、G、B)之CF基板(22),和于每个像素形成有像素电极(16)之TFT基板(24),和被封入前述CF基板(22)与TFT基板(24)之间的具有负的电介质各向异性之液晶(Lc),和分别被设于前述CF基板(22)及TFT基板(24)之用以控制前述液晶(LC)之定向的构造物(20、16a),和透过绝缘膜(64)被配置在前述TFT基板(24)侧之线状狭缝构造物(16a)的下方之存储电容配线(60);特征在于,以前述存储电容配线(60)、前述绝缘膜(64)和前述像素电极(16)构成存储电容。图式简单说明:第1图为本发明第1实施态样之示意图。第2(a)~(b)图为本发明之作用的示意图。第3图为本发明第2实施态样之示意图。第4图为第3图之Ⅱ-Ⅱ线的断面示意图。第5(a)~(c)图为无间隔物CF构造示意图。第6图为本发明第3实施态样之示意图。第7图为第6图之Ⅰ-Ⅰ线的断面示意图。第8(a)~(b)图为示于第5图之无间隔物CF构造的问题点示意图。第9图为示于第5图之无间隔物CF构造的问题点示意图。第10图为根据本发明第4实施态样之实施例的示意图。第11(a)~(b)图为第8图之C-C'线的断面示意图。第12(a)~(d)图为根据本发明第4实施态样之实施例中的液晶显示装置之制造方法示意图。第13图为根据本发明第4实施态样之另一实施例的示意图。第14(a)~(d)图为根据本发明第4实施态样之另一实施例中的液晶显示装置之制造方法示意图。第15(a)~(c)图为根据本发明第4实施态样之又一实施例的示意图。第16(a)~(b)图为根据本发明第5实施态样之实施例的示意图。第17(a)~(b)图为根据本发明第5实施态样之另一实施例的示意图。第18(a)~(f)图为说明根据本发明第6实施态样之液晶显示装置的制造方法之工程断面图。第19图为说明根据本发明第6实施态样之液晶显示装置的制造方法之工程断面图。第20图为说明根据本发明第6实施态样之液晶显示装置的制造方法之工程断面图。第21图为适合以本发明第7实施态样解决的课题之说明图。第22图为适合以本发明第7实施态样解决的课题之说明图。第23(a)~(b)图为本发明第7实施态样之示意图。第24图为本发明第7实施态样之示意图。第25图所示为本发明第7实施态样的效果之一例。第26为适合以本发明第8实施态样解决的课题之说明图。第27图为第26图之A-A线的断面示意图。第28图为本发明第8实施态样之说明图。第29图为第28图之B-B线的断面示意图。第30图为本发明第8实施态样之说明图。第31图为第30图之C-C线的断面示意图。第32图为MVA液晶显示装置之基本构造示意图。第33(a)~(c)图为MVA液晶显示装置之原理的示意图。第34图为习知之具备辅助突起的MVA液晶显示装置示意图。第35(a)~(b)图为辅助突起之作用的示意图。第36(a)~(b)图为习知之问题点的示意图(1)。第37(a)~(c)图为习知之问题点的示意图(2)。第38图为视角色彩变化不均发生率的示意图。
地址 日本
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