发明名称 动态半导体记忆体装置以及使用此装置之操作方法的省电模式
摘要 一个动态半导体记忆装置,包括,一个有多个记忆胞的记忆胞阵列,这些记忆胞连接在多条字元线和多个位元线对之间;一个模式设置部分,接收来自外部的模式设置码:其回应一个模式设置命令,以产生一用于一省电操作模式之省电模式控制信号;一个位址控制部分,在通常操作模式下,对一个来自外部的位址或一个刷新位址解码,以选择该多个字元线中的一条。而在一省电操作模式下,该位址控制部分,同时选择一个该位址之位元预设值。所以,该半导体记忆装置延长该刷新周期,而缩短刷新时间,导致一较少之电能消耗。
申请公布号 TW200523945 申请公布日期 2005.07.16
申请号 TW093136709 申请日期 2004.11.29
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 庆桂显;韩奎汉
分类号 G11C7/12 主分类号 G11C7/12
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 韩国
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