半导体装置

摘要

〔课题〕在使相变化记忆体于低电压动作及高温动作或放置之情形，提升记录保持可靠性。〔解决手段〕设读出电压在设定电压及重置电压以上，使之高速动作，在读出后，再写入读出前之状态，进行所谓之破坏读出。另外，使用利用复数个之单元以记录1位元之资讯之所谓或单元，使高温时之动作或者放置之可靠性提升。使用利用破坏读出及或单元之相变化记忆体所必要之电路构造及动作方法。