发明名称 膜形成方法及基板处理装置
摘要 本发明之目的在于抑制多层抗蚀剂制程中之上层抗蚀剂膜的倾倒。一种成膜方法,其包含:供给含有涂布型薄膜形成物质以及溶剂之液体至被处理基板主面上而形成液状之涂布膜的步骤,以及对于上述涂布膜实行上述溶剂之去除以及用以使于上述涂布型薄膜形成物质中产生非可逆性反应之加热处理,而形成固形薄膜的步骤,于该方法中,将自上述涂布膜之膜厚变动大致稳定至开始上述加热处理为止的待机时间以及于上述涂布膜表面附近之每单位体积之水份量之乘积设定为特定值以上。
申请公布号 TW200534329 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW093139395 申请日期 2004.12.17
申请人 东芝股份有限公司 发明人 加藤宽和;竹石知之;伊藤信一
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本