| 主权项 |
1.一种制造半导体装置中装置隔离膜之方法,该方法包括下列步骤:在一半导体基板上循序地形成一垫氧化物膜和一垫氮化物膜;藉由蚀刻该垫氮化物膜、该垫氧化物膜和该半导体基板形成一沟渠;在该整个表面上形成一内衬氮化物膜;在该整个表面上形成一用于填充该沟渠之装置隔离膜之一氧化物膜;使用一低选择性研磨液研磨一预定厚度之用于装置隔离膜之氧化物膜;使用一高选择性研磨液研磨用于装置隔离膜之该氧化物膜以暴露该内衬氮化物膜;使用一包括MxPyOz之高选择性研磨液研磨该内衬氮化物膜以暴露该垫氮化物膜;以及移除该垫氮化物(其中M系从包括下列之群组所选择:一硷金属、硷土金属、氢硷金属、氢硷土金属、氢和NH4+,其中x、y和z系0≦x≦3,1≦y≦3和2≦z≦5之范围内之自然数)。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成一沟渠之步骤尚包括在该沟渠之一内表面形成一氧化物膜。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成一内衬氮化物膜之步骤包括使用SiH2Cl2和NH3为一来源气体之LPCVD方法或使用SiH4和NH3为一来源气体之PECVD方法。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成一内衬氮化物膜之步骤尚包括在该内衬氮化物膜上形成一内衬氧化物膜,且热处理该内衬氧化物膜。5.如申请专利范围第1项之方法,其中用于装置隔离膜之该氧化物膜包括一HDP氧化物膜。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该移除该垫氮化物膜之步骤使用一磷酸溶液而实施。7.如申请专利范围第1项之方法,其中MxPyOz系为H3PO4或NaH2PO2。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该MxPyOz系为一金属,其可从包括硷金属、和一硷土金属所组成之群组中所选择。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该等硷金属之一系为Na+或K+。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该等硷金属之一系为Mg2+或Ca2+。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该包括MxPyOz之高选择性研磨液可以藉由混合经由一供应高选择性研磨液之线所供应之一高选择性研磨液和经由一供应MxPyOz之线所供应之MxPyOz所制造。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该研磨该内衬氮化物膜和移除该垫氮化物膜之步骤在一分开平台中实施。13.如申请专利范围第1项之方法,其中在该包括MxPyOz之高选择性研磨液中之MxPyOz之比値范围从0.1至30wt%。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该包括MxPyOz之高选择性研磨液包括具有50至300奈米范围内之粒尺寸之黏着液,其可从包括氧化矽、氧化铈、氧化锆、氧化铝和该等之组合所组成之群组中选择。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该包括MxPyOz之高选择性研磨液之pH小于8。图式简单说明:图1a至1f系为显示制造半导体装置之装置隔离膜之传统方法之剖面图。图2a至2h系为显示根据本发明制造半导体装置之装置隔离膜之一方法之剖面图。 |
