| 摘要 |
一记忆体阵列具有以列及行来配置之相同布局或覆盖范围的记忆体元件。虽然一些记忆体元件系EEPROM单元以及其它记忆体单元为唯读记忆体单元，但是所有记忆体元件系使用一具有相同长度及宽度尺寸之光罩组来制造。在用于EEPROM之光罩组中，使用一主光罩以形成一空乏布植。在某一型态之唯读记忆体元件的情况中，主要限制此光罩，以导致一在源极与汲极间具有一非导电通道的电晶体之形成。在其它唯读记忆体元件之情况中，不限制该相同光罩，以导致一在源极与汲极间具有一高导电或几乎短路通道之电晶体的形成。将这两个唯读记忆体元件指定成为逻辑位准1及逻辑位准0。藉由在相同晶片上具有复数个列之唯读记忆体元件及复数个列之EEPROM，可建立一具有更多用途之记忆体阵列晶片而不会牺牲晶片空间。 |
