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Un módulo de semiconductor de potencia (1) en un diseño de contacto por presión que comprende por lo menos un sustrato (5), componentes del semiconductor de potencia (60) dispuestos sobre el mismo, un alojamiento (3) y elementos de conexión de la carga dirigidos hacia fuera (40, 42, 44) y que comprenden un dispositivo de presión (70) con por lo menos un cuerpo de presión (80), en el que el sustrato (5) comprende trayectorias conductoras (54) al potencial de la carga dispuestas sobre una primera superficie principal del mismo, encaradas al interior del módulo de semiconductor de potencia, caracterizado porque un primer elemento de conexión de la carga (40) y por lo menos uno adicional (42, 44) están cada uno de ellos configurados como cuerpos conformados de metal provistos de una primera sección en forma de tira (402, 422, 442) y patas de contacto (400, 420, 440) que emanan de la misma, la respectiva sección en forma de tira (402, 422, 442) está dispuesta paralela a la superficie del sustrato y a una distancia del mismo y las patas de contacto (400, 420, 440) se extienden desde la sección en forma de tira (402, 422, 442) hasta el sustrato (5) y entran en contacto con éste de una manera apropiada para el circuito, y porque por lo menos un cuerpo de presión (80) está dispuesto entre el dispositivo de presión (70) y un elemento de conexión de la carga adicional (42, 44), en el que una pieza de este cuerpo de presión (80) se extiende a través del primer elemento de conexión de la carga (40) y produce presión sobre un punto de recepción de la presión (424, 444) del elemento de conexión de la carga adicional asignado (42, 44). |
