| 主权项 |
1﹒一种电荷转移装置,其型式为适合于储存入连续转移局限于沿一适当储存介质部份之感应电位能最低点处的电荷载子,其方法为经由一组电极分设于该装置中,以侦测在某一预定介质部位储存的电荷量之装置(80,90,100),顺次施加一组不同的电位于介质表面的连续部份,其特征为:处理该预定部位被侦检后之电荷载子的装置(76,176);沿着该表面之另一部位注入一控制数量的电荷载子的装置(77,177);及闸制装置(82,182)电传导式,连接(81,181)至侦检装置,并位于注入装置之邻近,以控制新注入的电荷载子,响应预定部位的侦检,而转移开注入装置者。2﹒如请求专利部份第1项的装置,其特征为,该储存介质系一种第一半导性型之半导体(71)者。3﹒如请求专利部份第2项的装置,其特征为,该侦测装置包括一浮接导电性电极(图5之80),布设于一较薄之绝缘层(72)上,该绝缘层又再布设在半导性之本体表面上者。4﹒如请求专利部份第2项的装置,其特征为,该侦测装置包括一第二半导性型的第一区域(90)布设于主体内邻近于一电极之一(26Z)以侦检此一电极下所存在之电荷载子之数量者。5﹒如请求专利部份第4项的装置,其特征为,该注入装置包括一第二半导性型的第二区域(77)布设于主体内而与上述另一电极(34A)分离,及该闸制装置包括一控制电极(82),布设于半导体物质表面上,并包含该第二区域(77)及上述另一电极(34A)的间隔部份,及导电性地连接(81)至该第一区域(90),以控制电荷载子第响应在一区域的侦测而自第二区域转移开者。6﹒如请求专利部份第5项的装置,其特征为,其施加偏压电位于第二区域的装置(79)者。7﹒如请求专利部份第6项的装置,其特征为,其偏压电位系一直流偏压电位者。8﹒如请求专利部份第5项的装置,其特征为:一组资料道(图8),沿着资料道,电荷载子可以储存及连续转移,每一个该资料道均由一组串联分布的电极组(153Y,154Y,153Z,154Z,253A,254A)所限定,及构成传导路从对(155,156)的装置,每一资料道内,每隔一个电极,均连至该路径对的共同处之一,其余之电极,则连至路径对之另一对者。9﹒如请求专利部份第8项的装置,及特征为:第一区域(100)所邻近之电极(153Z)系布设于上述该资料道之一上者;及上述该闸制控制电极(182)所邻近之该另一电极(253A)系设于另一上述资料部内者。10﹒如请求专利部份第8项的装置,其特征为,第一区域所邻近的电极(153Z),系连至上述该闸制控制电极(182)所邻近之上述该另一电极(253A))所连之同一传导路径(图9之155)者。11﹒如请求专利部份第1项的装置,其特征为,一组资料道(图11之A,B),沿着资料道,电荷载子可以储存及连续转移,每一个该资料道,均由一组串联分布的电极组所限定;及侦测装置包括一组分离的侦测装置(100A,B)各分离的侦测装置,分别相关地布设于每一上述该资料道内,以侦测每一资料道内预定位置的电荷载子,及闸制装置包括一组与注入装置(277)为负串联关系分布的装置(182A,B),以使电荷载子仅当少于沿着每一资料道之预定侦测位置时,始能自注入装置转移开去;如此一逻辑的NOR一作用从而产生者。12﹒如请求专利部份第1项的装置,其特征为,一组资料道(图12之A,B)沿着资料道,电荷载子可以储存及连续转移,每一个该资料道均中一组串联分布的电极组所限定。侦测装置包括一组分离的侦测装置(100A,B),各分离的侦测装置,分别与每一该资料道成对应关系而布设,以侦测每一资料道内预定位置的电荷载子,及闸置装置包括一组与注入装置(277)并联布设的装置(182A,B)以阻止电荷载子自注入装置转移开去,仅当大于一预定数量的电荷载子存在于沿着每一资料道之每一预定位置;如此一逻辑的NAND一作用从而产生者。13﹒如请求专利部份第2项的装置,其特征为,该电极为场板电极者。14﹒如请求专利部份第13项的装置,其特征为:一组第二半导性型的分离局部区域(403,404,X,Y)布设于本体(401)表面之邻近,并与该场板电极(401X,2X,1Y,2Y)成不对称排列的关系布设,使其每一场板电极均伸展于该一对区域之中间部份的穴间,并覆于该区域对之一的上方的面积较另一区域更大者。15﹒如请求专利部份第1项的装置,其特征为,该侦测装置,系一电的浮接的装置(80,90)以侦测存在于沿着该表面之一预定位置,在一预定时间的电荷载子之数量者。16﹒如请求专利部份第1项的装置,其特征为,在每次侦测工作前,预施偏压于侦测装置(541)至一固定的参考位,以改善灵敏度的装置(524,528)者。17﹒如请求专利部份第16项的装置,其特征为,该储存介质系一第一半导性型的半导体(511),侦测包括一第二半导性型的第一区域(541),布设于本体之内而邻近于一场板电极(523C),以侦检存在于该一场板电极下的电荷子之数 目,预偏压装置包括一第二半导性型的第二区域(528),布于本体之内而与第一区域分离者,更包括一第一场板电极(524),设于包含介于第一及第二区域之中间部份的半导体物质上方而与其绝缘。注入装置包括一第二半导性型的第三区域(543),布设于本体之内,而与另一该电极(533A)分开;及闸制装置包括一第二场板控制电极(532),设于包含注入装置及该另一场板电极之间的半导体物质之上,而与其绝缘,并以导电性地连至第一区域,以控制电荷因响应在第一区域所侦测之逻辑状态而自第三区域(543)转移离开者。18﹒如请求专利部份第16项的装置,其特征为,其电极为场板电极及其储存介质为一半导体,其侦检装置包括一第二半导性型电的浮接的第一区域(541),布设于本体内而邻近于场板电极之一(523C),以侦检存在于该一场板电极下的电荷载子数目;一第二半导性型的第二区域(542),布设于本体之内而与第一区域分开;一第一场板控制电极(524),布设于包含介于第一及第二区域之间的中半导体物质之上而与其绝缘;一第二场板控制电极(532),布设于表面之上而邻近另一该场板电极(533A)及导电性地连至第一区域;及一第二半导性型的第三区域(543),布设于本体之内而邻近第二场板控制电极(532)者。19﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为;该第三区域(543)系导电性地连至第一场板控制电极(524)者。20﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为;该第三区域系连接(544B)至一独立之脉波产生器者。21﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:维持一偏压电位(一VR)于第二区域(542)的装置(528)者。22﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:该偏压电位系一直流偏压电位(一VR)者。23﹒如请求专利部份第21项的装置,其特征为,顺次施加一组不同的电位于第一场板控制电极(524)的装置(525,526)者。24﹒如请求专利部份第23项的装置,其特征为:施于第一场板控制电极(524)的电位,系与施于邻近第一区域之场板电极(523C)的电位不同相位者。25﹒如请求专利部份第22项的装置,其特征为:形成一对传导路径(525,526)的顺序装置,每隔一个场板电极均连至该路径对的共同处之一,其余各场板电极则连至另一对路径;及第一场板控制电极(524),系连至邻近第一区域的场板电极(523C)所连的另外一条路径者。26﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:一接收器场板电极(533A),系与第三区域(543)分离,而使其间隔,由第二场板控制电极(552))桥接者。27﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:使接收器场板电极(533A),系导电性地连至邻近第一区域的场板电极(523C)者。28﹒如请求专利部份第26项所述之装置,其特征为:该接收场板电极(533A)为较其余诸场板电极为大者。29﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:一组第二半导性型的分离局部区域(图22之 554A,553R,554B,541)布设于本体表面之邻近,并与该场板电极成不对称性关系排列布设于以使每一场板电极伸展于一组上述区域中间的上方空间,而覆于该区域对之一的上方面积较另该一区域为大者。30﹒如请求专利部份第18项的装置,其特征为:一第二半导性型的额外区域(563),位于第三区域(544B)及该另一(561A)场板电极之间者。 |
