发明名称 Device and method of chemical vapor deposition
摘要 본 발명은 화학 기상 증착 장치의 반응챔버 상부에 플라즈마 발생 장치를 구비하여 공정 반응 가스를 라디칼로 분해하여 샤워 헤드를 통해 반응챔버 내부로 공급하도록 하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.본 발명은, 제1반응가스와 제2반응가스의 반응에 의에 화학 기상 증착이 이루어지며, 기판이 수용되는 반응챔버와, 상기 제2반응가스가 플라즈마발생부에 의하여 플라즈마 상태로 되는 플라즈마챔버와, 상기 반응챔버의 상부에 위치하도록 구비되어, 상기 제1반응가스와 상기 플라즈마챔버로부터 유입되는 상기 제2반응가스를 서로 접촉시키지 않고 상기 반응챔버로 배출하는 샤워헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
申请公布号 KR101675106(B1) 申请公布日期 2016.11.11
申请号 KR20100049202 申请日期 2010.05.26
申请人 주식회사 탑 엔지니어링 发明人 유종현;이성재;이재인;박근우;나윤주;강수호
分类号 H01L21/02;C23C16/18;C23C16/455;C23C16/511;H01L51/56 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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