| 摘要 |
플라즈마 프로세싱 시스템 적어도 기판을 플라즈마로 프로세싱한다. 플라즈마 프로세싱 챔버는 이온 에너지 분배를 제어하는 것이 가능하다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 제 1 전극을 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한 제 1 전극과 상이하고, 기판을 베어링하도록 구성된 제 2 전극을 포함한다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 또한 제 1 전극과 커플링된 신호 소스를 포함할 수도 있다. 신호 소스는 기판이 플라즈마 프로세싱 시스템에서 프로세싱될 때 기판에서의 이온 에너지 분배를 제어하기 위해 제 1 전극을 통해 비-사인 신호를 제공할 수도 있고, 여기서 비-사인 신호는 주기적이다. |
