Process for making integrated bipolar transistors.

摘要

Bei einem Verfahren zum Herstellen von bipolaren Transistoren durch lonenimplantation wird insbesondere die Basiszone (32) in eine auf ein Halbleitersubstrat (10) mit Subkollektor (14) epitaktisch aufgewachsene, die Kollektorzone bildende Halbleiterschicht (18) durch eine endgültig auf der Halbleiterschicht verbleibende, eine gleichmäßige Dicke aufweisende Siliciumdioxidschicht (20) hindurch implantiert. Anschließend werden Fenster (37, 36, 35) für den Emitterkontakt, den Basiskontakt und den Kollektorkontakt in der Siliciumdioxidschicht (20) geöffnet. Die Emitterzone (42) wird dann selektiv durch das Fenster (37) für den Emitterkontakt implantiert. Abschließend wird die die Kontakte und Verbindungsleitungen bildende Metallisierung auf die Siliciumdioxidschicht (20) aufgebracht. Dieses Verfahren gewährleistet trotz direkter Implantation der Emitterzone eine gleichmäßige Dicke der die abschließende Metallisierung tragenden Isolierschicht, was zu gleichmäßigen und abschätzbaren Kapazitäten führt.