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PROCEDE DE CROISSANCE D'UN FILM MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT QUAND IL Y A NON CONCORDANCE ENTRE LES MATERIAUX CONSTITUTIFS DU FILM ET DU SUBSTRAT ET STRUCTURE EN RESULTANT.UN SUBSTRAT MONOCRISTALLIN 10, TYPIQUEMENT EN CHLORURE DE SODIUM, EST D'ABORD RECOUVERT EPITAXIALEMENT PAR DEPOT SOUS VIDE, D'ILOTS 12 EN NICKEL DE FORME HEMISPHERIQUE, PUIS PAR DEPOT EPITAXIAL SOUS VIDE D'UNE COUCHE D'ARGENT MONOCRISTALLINE 13, SUIVIE PAR LE DEPOT EPITAXIAL SOUS VIDE D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE D'OR 14. L'UTILISATION DES ILOTS INTERMEDIAIRES PERMET DE REDUIRE CONSIDERABLEMENT LES DEFAUTS PRODUITS PAR LA NON-CONCORDANCE DES MATERIAUX.APPLICATION NOTAMMENT A L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS, OU CE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE POUR LE DEPOT DE SILICIUM SUR DE L'ALUMINE.
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