一种IGBT器件及其形成方法

摘要

本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。

主权项

一种IGBT器件，其特征在于，包括：半导体衬底；基区，所述基区形成于所述半导体衬底上表面内，且所述基区的上表面与所述半导体衬底的上表面平齐；栅极结构，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，其中，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区且在平行于所述栅极结构的水平部分的方向上所述栅极结构的U型部分的投影完全覆盖所述基区的投影，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；发射极，所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触；集电极，所述集电极形成于所述半导体衬底下表面内，且所述集电极的下表面与所述半导体衬底的下表面平齐。