Semiconductor device with a plurality of semiconductor elements comprising pn junctions combined in a semiconductor crystal and forming an integrated circuit.

摘要

Im Interesse einer erhöhten Betriebssicherheit und der Reduzierung von Substratströmen einer integrierten Halbleiterschaltung mit pn-Isolation ist erfindungsgemäß mindestens ein Schutztransistor ST vorgesehen, dessen Emitter EST am Signalpotential Vsi der in den einzelnen Isolationswannen erzeugten und einen Bestandteil der eigentlichen integreierten Schaltung bildenden Transistoren T gelegt ist. Der Kollektor CST des Schutztransistors ST liegt am Potential VC der Isolationswanne und die Basis BST des Schutztransistors am Substratpotential Vs der integrierten Halbleiterschaltung. Falls während des Betriebes der integrierten Halbleiterschaltung eine Umpolung der den die Isolationswanne begrenzenden pn-Übergang in Speicherrichtung haltenden Spannung stattfindet wird die Entstehung eines Substratstromes mit seinen negativen Folgen für die eigentliche integrierte Schaltung weitgehend unterdrückt.