发明名称 氧化触媒之制法
摘要
申请公布号 TW041579 申请公布日期 1982.02.01
申请号 TW07011841 申请日期 1981.06.24
申请人 日本触媒化学工业股份有限公司 发明人 北田律男;永井勋雄;高桥由幸;植岛陆男
分类号 C07C57/04 主分类号 C07C57/04
代理机构 代理人 陈世雄 台北巿大安区一○六六一敦化南路六九五号八楼
主权项 1﹒一种甲基丙烯酸之制法,其特征为使用X光绕射线(Cu─K)辐射)在2=约26﹒2,约10﹒5,约21﹒3及约30﹒3出现,而具有与其盐近似之结晶构造,且含如下式组成之鉏钒磷酸之触媒组成物式中省略鉏钒磷酸之可解离质子,X为选自钠,钾,铷,铊,铍,镁,钙,锶及钡之至少一种元素,Y为选自铜,银,砷,锑,硕,钴,销及销之至少一种元素,a一f分别为各元素之原子比,但若b=12,则a为0﹒1一3﹒0,c为0-6,0(但不为零)d为0-10﹒0e为0-5﹒0f为由各元素之原子价及原子比决定之数値,使含碳数4之不饱和烃、醇,饱和脂族醛或不饱和脂族醛起气相氧化。2﹒依请求专利部份第1项之制法,其中a-f代表如下数値,即若b为l2,则a为0﹒1-2﹒0c为0﹒1─4﹒0d为0-5﹒0e为0-5﹒03﹒如请求专利部份第1项之触媒之制法,系在含碳杂环化合物之存在下制成结晶构造近似其盐之鉏钒磷酸。4﹒依请求专利部份第3项之制法,其中含氮杂环化合物乃选自啶,啶,,嘧啶及此等之衍生物之至少一种化合物。
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