发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE FILM METAL OXIDE FILM THIN-FILM TRANSISTOR METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 금속 질산염 및 용매를 포함하는 용액을, 가열한 상태의 기판 상에 잉크젯법에 의하여 부여하여 도포막을 형성하는 도포 공정과, 도포막에 대하여, 산소 농도가 80000ppm 이하인 분위기하에서 자외선 조사를 행함으로써 금속 산화물막으로 전화시키는 전화 공정을 포함하는 금속 산화물막의 제조 방법 및 그 응용이다.
申请公布号 KR20160145798(A) 申请公布日期 2016.12.20
申请号 KR20167032567 申请日期 2015.05.27
申请人 후지필름 가부시키가이샤 发明人 모치즈키 후미히코;다카타 마사히로
分类号 H01L21/02;C01B13/34;C01G15/00;H01L29/51;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/14 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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