| 主权项 |
1.制造一种创新光感应性不定形合金之方法,此种方法包括将二种材料沉积于一基质上,此种材料至少含有锗,以及将可减少能阶密度之至少一种元素加在此材料中,此种元素系氟。2.根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,进一步包括将调节能带之至少一种元素加在此种材料中之步骤,而不实质增加能带隙中之能阶,以生产丁种合金,此种合金有一就特定光感应性波长临限而调节之能带隙。3.根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,其中该调节元素或则为碳或则为氮。.4.根据上述请求专利部分第1项所界定之方法,其中该合金系自H2,及GeF4之至少一种混合物辉光放电沉积而成。5.根据上述请求专利部分第4项所界定之方法,其中该混合物含有高达百分之十的F2。6.根据上述请求专利部分第4项所界定之方法,其中该GeF。与H2,之混合物之比例为四比一至一0比一。7.根据上述请求专利部分第2项界定之方法,其中该合金系于其中沉积有一有效光感应区且该调节元素系至少引入此区中者。8.根据上述请求专利部分第2项界定之方法,其中该方法构成一多步骤过程,中之一步,用以形成具相反(p及n)导电型之连续沉积之合金层,n型层制成之法为在此层之沉积时加入一种n搀杂剂元素,此种元素系与沉积之层沉积,以产生一n型层,p型层制成之法为在此层沉积时引入一种p搀杂剂元素,此种元素系与已沉积之层相沉积,以产生一p型层。9.根据上述请求专利部分第8项所界定之方法,其中系在p与n型搀杂层之间沉积有一本质不定形合金层,但在其中并无一p或n型搀杂剂元素,此本质层之至少一部分系含有该调节元素。10.根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,进一步包括引入一第二种可减少能阶密度之元素,此第二元素为氢。11.根据上述请求专利部分第9项所界定之方法,其中所述两种减少能阶密度之元素实质上保同时引入沉积中之合金者。12.根据上述请求专利部分第1项所界定之方法,其中该具减少能阶密度之元素系在合金沉积后加入其中者。13.根据上述请求专利部分第2项所界定之元素,其中该调节元素系以实质上单元层加入该合金内者。14.根据上述请求专利部分第2项所界定之方法,其中该调节元素以变量加入该合金内者。15.根据上述请求专利部分第1项所界定之方法,包括于将该调节元素加入合金内以前,将其予以蒸发者。16.根据上述请求专利部分第15项所界定之方法,包括于将该调节元素引入该合金之际使之以电浆活化者。17.根据上述请求专利部份第16项所界定之方法,包括以电浆活化之蒸气沉积将该调节元素予以活化。18.根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,其中该方法包括将合金之至少一部分于其中沉积有一种p或n搀杂剂元素中之一种,以构成一种p或n导电型合金者。19.根据上述请求专利部分第1项之方法所制造之一种不定形合金。20.根据上述请求专利部分第2项之方法所制造之一种不定形合金。21.根据上述请求专利部分第3项之方法所制造之一种不定形合金。22.根据上述请求专利部分第4项所方法所制造之一种不定形合金。23.根据上述请求专利部分第5项之方法所制造之一种不定形合金。24.根据上述请求专利部分第14项之方法所制造之一种不定形合金。25.根据上述请求专利部分第15项之方法所制造之一横不定形合金。26.根据上述请求专利部分第16项之方法所制造之一种不定形合金。27.根据上述请求专利部分第27项之方法所制造之一种不定形合金。28.一种创新之光感应性不定形合金,此种合金含锗并有至少一种可减少能阶密度之元素加入其中,此种元素系氟。29.根据上述请求专利部分第27项所界定之合金,进一步包含加入其中之一能带隙调节元素,而不实质上增加能隙中之能阶,此种合金有一对特定光感应性波长临限所调节之能带隙。30.根据上述请求专利部分第28项所界定之合金,其中该调节元素或则为碳或则为氮。31.根据上述请求专利部分第29项之合金,其中该合金在其中具有一有效光感应区且该调节元素系至少加入此区内者。32.根据上述请求专利部分第29项所界定之合金,其中该合金系一连续沉积层之多层合金,而属相反之导电(p及n)型,其n型层含有一种n搀杂剂元素于其中,来产生一n型层,以及其p型含有一p搀杂剂元素于其中来产生一p型层。33.根据上述请求专利部分第32项所界定之合金,系在p与n搀杂剂层之间沉积有一本质不定形层,而在其中并无一种p或n搀杂剂元素,此本质层之至少一部分则系含有调节元素者。34.根据上述请求专利部分第28项所界定之合金,进一步含有下第二种减少能阶密度之元素加于其中,此元素为氢。35.根据上述请求专利部份第34项所界定之合金系用辉光放电沉积法所沉积。36.根据上述请求专利部分第29项所界定之合金,系以实质上为单元层含有该调节元素。37.根据上述请求专利部分第29项所界定之合金系按变化量含有该调节元素。38.根据上述请求专利部分第28项所界定之合金,系含有一n或p导电性部分之至少一种于其中,该部分并在其中含有一种n或p搀杂剂元素。39.一种创新之光感应性装置,此种装置含有不同材料之重叠层次,此等层次包含一不定形锗半体导合金本体,此合金本体具有一有效光感应区,此区含有一能带隙于其中,辐射则可撞击于此能带隙上,以产生电荷载体,此锗不定形合金含有减少能阶密度之至少一种元素,此种元素为氟。40.根据上述请求专利部分第39项所界定之一种创新光感应性装置,至少在光感应区中进一步含有一能带隙调节元素于其中,以增强其辐射吸收,而不增加能隙中之能阶,此合金之能带隙乃系就一特定光感应性波长临限予以调节者。41.根据上述请求专利部分第40项所界定之装置,其中该调节元素为碳。42.根据上述请求专利部分第40项所界定之装置,其中该合金本体为一多层本体,由连续沉积而具相反导电型(p及n)之多层构成,n型层之形成系在沉积此层时加入一种n搀杂剂元素,此种元素系与沉积好之层沉积,以产生一n型层,而p型层之形成系在沉积此层时加入一种p搀杂元素,此种元素系与沉积之层相沉积,以产生一p型层。43.根据上述请求专利部分第42项所留定之装置,其中系在p与n搀杂层之间沉积有一本质不定形合金层,而在其中并无p或n搀杂剂元素之出现,此本质层之至少一部分则系含有该调节元素者。44.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,进一步含有一第二种可减少能阶密度之元素于其中,此元素为氢。45.根据上述请求专利部份第44项所界定之装置,藉辉光放电沉积法所沉积。46.根据上述请求专利部分第40项所界定之装置,其中该合金本体系以实质上之单元层含有该调节元素。47.根据上述请求专利部分第40项所界定之装置,其中该合金本体乃系以变量含有该调节元素者。48.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,其中该合金本体含有至少一种n或p导电性区于其中,此区于其中含有一种n或p搀杂剂元素。49.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一肖特基能障太阳电池之一部分。50.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一MIS 太阳电池之一部份。51.根据上述请求专利部份第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一p一n接面装置之一部分。52.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一p一i一n装置之一部分。53.根据上述请求专利部分第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一光电检测器之一部分。54.根据上述请求第39项所界定之装置,其中该合金本体构成一静电影像产生装置之一部分。 |
