发明名称 液晶显示板及其制造方法
摘要
申请公布号 TW077833 申请公布日期 1986.06.01
申请号 TW074105064 申请日期 1985.11.13
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人
分类号 G02F1/135 主分类号 G02F1/135
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种液晶显示板包含:(A)第一及第二基片反向放置于一预定之距离之关系下,且互为平行之关系,而且液晶体注入于第一及第二基片之中间;(B)第一基片包含有:第一基片具有非导电表面;多数长条形导电层F1,F2 .....Fm以列方向安排于第一基片上向行之方向延伸;n 层 Qi1,至Qin安排于导电层F1 (其中j=1,2 …… m)之上方以行之方向排列而宽度与后者相同;导电层 Eij 形成于Qij(其中j=1,2 …… m)之上方且与后者具有相同之宽度;导电层Fi之Qij层之下方部分Dij,Qij;层以及导电层Eij形成薄片Aij;非导电层Kij,及Kij,分别形成于薄片Aij之侧面之全面积上;以及一导层Cij形成于第一基片上且相对于薄片Aij,其中导层Cij所具有之宽度与薄片Aij,之长度相同且于非导层Kij之侧面上延伸到非导层Kij以及薄片Aij之上方,且定义导层Cij宽度之侧面之安排实际为两侧面定义出薄片Aij之长度,(C)第二基片包含:第二具有非导层表面之基片以及nxq(其中q为大于或等于1之整数)条状导层H11,H12……,H1q;H21,H22,……H2q;……以及Hn1,Hn2……Hnq以行方向顺次安排于第二基片之上且句列之方向延伸,导电层Hij,至Hjq导层Cij至Cmj反向;(D)薄层Aij成一非线性元件Uij导层Hjr(其中r=1,2 ……),导层Cij之部分Bijr面对着Hjr以及导层Hjr及Bijr之部分形成一液晶体元件Lijr2.-液晶体显示板包含有:(A)第一及第二基片以反向放置且其距离预先定好互相平行;以及置于第一及第二基片之间之液晶体;(B)第一基片包含有:-第一具有非导层表面之基片;m条条状导电层Fl,F2……"Fm 以列方向安排于第一基片之上且句行方向延伸;n层Qij至Qin以行之方向安排于导电层Fi(i=1,2 ……m)之上且与后者所具有之宽度相同;Qij层下方之导层Fi之Dij部分,Qij层以及导电层Eij形成薄片Aij;非导层Ki形成于基片上且于薄片Ai1至Ain以及A(i+1)n之间沿伸且与其具有相同之高度,导电层Cij形成于非导层Kj以及相关于薄片Aij,其中导电层Cij之宽度实际上相等于薄片Aij之长度且于薄片Aij;之上方延伸,且定义导电层Cij之宽度之两侧面与定义薄片Aij之长度之两侧面为一致;(C)第二基片包含:且有非导表面之第二基片以及nxq(q为大于或等于1之整数)之条状导电层H11,H12……H1q;H21,H22,……H2q;……以及Hn1,Hn2,……Hnq 于第二基片上顺次安排且以列之方向延伸导层Hj1到Hjq为反向于导层Cij到Cmj;(D)薄层Aij形成一非线性之元件Uij;导层Hjr(其中r=1,2……q),导层Cij面对于导层Hjr,之部分Bijr以及导层Hjr以及Bijr之部分之间之液晶体形成液晶元件Lijr。3.一种方法用以制液晶元件显示板,其中包含:(A)预备第一基片之步骤,其中包含(a)于第一基片之上,形成一薄片A,包含一导层F,一Q层以及一E层依此次序形成薄片;(b)将薄片A制成图形而形成m条状A,至此依序安排于列之方向上且以行之方向延伸,(c)覆上一层非导层K于第一基片之全表面上以覆盖薄片A1至Am,其厚度比薄片A1至Am小,(d)选择性蚀刻非导层K而于薄片A,(i=1,2……m)之变侧形成非导层Ki以及Ki'而定义薄片Ai之宽度;(e)于第一基片上之全面积上形成一道层C而覆盖薄片A1至Am以及非导层K1至Km以及K1'至Km';以及(f)将导层C,第二导层E1至Em以及Q1至Qm制图以形成导层Ci1至Cin由基片延伸至非导层Ki以及薄片Ai之上方穿过非导层Ki,Qi1至Qin以及导层之侧面,以及Qij层之下方之导电层Dij之部分,其中Qij层以及导层Eij形成薄片Aij,(B)预备第二基片之方法及步骤,其中包含:于具有非导表面之第二基片上形成nxq(其中q为大于或等于1之整数)之导电层H11,H12……H1q;H21,H22,……H2q;……以及Hn1,Hn2,……Hn3以行之方向依次排列且以列之方向延伸,导层Hj1,Hj2,……以及Hiq相对于第一基片之导电层C1j,C2j…以及Cmj,(C)一个将第二基片上下翻转之步骤且将第一及第二基片以反向且互相平行倒置;且(D)一步骤注入液晶体于第一及第二基片所定义之狭缝内。4.制造液晶体显示之一种方法,其中包含:(A)预备第一基片之步骤,其中包含:(a)于第一基片上形成一薄片包含一导电层F,一Q层以及一导层E以此次序形成薄片,(b)将薄片A制成m个长条状图形A1至Am以列方向顺次安排且以行之方向延伸,(c)将一非导层K且其厚度大于薄片A1至Am,于第一基片之全表面上以覆盖薄层A1至Am;(d)选择性蚀刻非导层K而形成非导层K1于薄片A1及A(i+1)中间延伸且与其高度相同;(e)于第一基片之全表面上形成一导层C覆盖薄片A1至Am以及非导层K1至Km,以及(f)将导层C,导层E1至Em以及Q1至Qm制成图形而形成导层Ci1至Cin由非导层K涎伸至薄片Ai,Qi1至Qin层以及Ei1至Ein。导层,其中Qij层下方之导层Fi之部分Dij,Qij层以及导层Eij形成薄片Aij;(B)预备第二基片之步骤包含:在具有非导层表面之第二基片上形成nxq(其中q为大于或等于1之整数)之导层H11,H12,…H1q;H21,H22……H2q,……以及Hn1,Hn2,……Hnq顺次以行之方向安排而向列之方向延伸,其中导层Hj1,Hj2……以及Hjq相对于第一基片之导层C1j,C2j。以及Cmj;(C)一步骤用以将第二基片上下倒置且将第一及第二基片上下倒置且互相平行;以及(D)一步骤用来在第一及第二基片间之狭缝内填装液晶体。
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