| 主权项 |
1.一种使用涂覆材料之泥浆浸渍陶瓷整体触媒支持体元件的方法,其包括:计量一预定量之涂覆泥浆以和此整体支持元件之第l端相接触;以密封之关系置放一盖子在此整体支持元件之相反端的外周表面以在靠近此支持元件之相反端处界定出一真空室,然后在此盖子上抽真空以从此整体支持元件之相反端将涂覆泥浆抽引入此骨架构造中,因而此骨架构造之内部被均匀地涂布似涂覆泥浆。2.一种如请求专利部份第1.项之方法,其中第1端是此整体构造之下端,而此构造之下端部份浸渍在容纳在一容器中之涂覆泥浆之中。3.一种如请求专利部份第2.项之方法,其中此整体构造之下端以一和溶器之底部表面离开之关系浸渍在涂覆泥浆之中。4.一种如请求专利部份第3.项之方法,其中在此整体构造之下端和容器底部表面之间有约0.020至0.125英寸之间隙。5.一种如请求专利部份第4.项之方法,其中此间隙约0.040英寸。6.一种如请求专利部份第1.项之方法,其中涂覆泥浆具有一从15至300cps之黏度。7.一种如请求专利部份第2.项之方法,其中真空乃以至少二连绩阶段抽引其中在第2阶段施加至整体构造之真空压力高于在第1阶段所施加者。8.一种如请求专利部份第7.项之方法,其中在此二阶段中之第1阶段之真空约从0.5至0.7英寸水而在第2阶段之真空是约从3.0至20.0英寸水。9.一种如请求专利部份第8.项之方法其中在第l阶段之真空施加约从1至8秒期间而在第2阶段施加约从10至30秒期间。10.一种如请求专利部份第7.项之方法,其中涂覆泥浆有一粘度范围为从约17至约70厘泊而在整体构造所施加之真空压力在第2阶段约是第l阶段之5至10倍者。11.一种如请求专利部份第2.项之方法,其中在一第1部份之一预定量的涂覆泥浆被抽引进入此整体支持元件之下端以后,此整体元件被反转180度以继续剩余部份之涂覆泥浆之被抽引入此整体元件之上端。12.一种如请求专利部份第11.项之方法,其中约50至约85重量%之预定量的泥浆先被抽引入此整体元件之下端而约15至50%之涂覆泥浆被抽引入此反转整体元件之上端。13.一种如请求专利部份第1.项之方法其中预定量之涂覆泥浆和此整体元件之上端相接触,此整体元件之下端被施予一真空者。14.一种如请求专利部份第1.项之方法,其中此涂覆泥浆乃由约35至约52wt%之固体所组成。15.一种如请求专利部份第1.项之方法其中此涂覆固体乃由高表面积氧化铝所组成。16.一种如请求专利部份第1.项之方法其中此涂覆固体乃由择自铂,钯及铑所组成之族中之贵金属所组成者。17.一种如请求专利部份第1.项之方法,其中此涂覆泥浆固体乃由高表面积氧化铝和择自由铂,钯及铑所组成之族中之贵金属之混合物所组成者。 |
