发明名称 RADIATION-SENSITIVE OR ACTIVE-RAY-LIGHT-SENSITIVE RESIN COMPOSITION RESIST FILM IN WHICH SAME IS USED MASK BLANK RESIST PATTERN FORMATION METHOD METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
摘要 감방사선성 또는 감활성광선성 수지 조성물은, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의하여 분해되어 측쇄에 산 음이온을 발생하는 구조 부위 (a), 및 하기 일반식 (I)로 나타나는 반복 단위 (b)를 갖는 고분자 화합물 (A)를 함유한다.식 중, R은 수소 원자, 유기기 또는 할로젠 원자를 나타낸다. A은 방향환기 또는 지환기를 나타낸다. R및 R는 각각 독립적으로 알킬기, 사이클로알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. A, R및 R중 적어도 2개는 서로 결합하여 환을 형성해도 된다. B및 L은 각각 독립적으로 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. X는 수소 원자 또는 유기기를 나타낸다. n은 1 이상의 정수를 나타낸다. n이 2 이상의 정수를 나타내는 경우, 복수의 L, 복수의 R, 복수의 R및 복수의 X는 각각, 서로 동일해도 되고 상이해도 된다.
申请公布号 KR20160148625(A) 申请公布日期 2016.12.26
申请号 KR20167032694 申请日期 2015.05.26
申请人 후지필름 가부시키가이샤 发明人 츠치무라 토모타카
分类号 G03F7/038;C08F212/14;C08F220/38;G03F7/20;G03F7/26 主分类号 G03F7/038
代理机构 代理人
主权项
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