| 主权项 |
1.一种电光照相受光体,包括一导电性基体以及一与该基体成电气连通之光导电性构件,该光导电性构件系由一半导体合金材料形成,该半导体合金材料至少包括被单原予式地结合于该半导体主矩阵内之少量硼与一卤素或假卤素,该半导体合金材料显现出经缩减的整体应力。2.如请求专利部份第1.项之该受光体,其中,该光导电性构件至少为lOm厚。3.如请求专利部份第1.项之该受光体,其中,该光导电性构件系由一在其主矩阵中至少包括一矽合金、一锗合金与一矽-锗合金中之一者的半导体合金材料所形成。4.如请求专利部份第1.项之该受光体,其中,该半导体合金材料系以氟做为该卤素或假卤素。5.如请求专利部份第1.项之该受光体,其中,该硼系大致呈四面体地被结合于该半导体主矩阵内。6.如请求专利部份第1.项之该受光体,其中,该光导电性构件系由一包括足量之硼俾产生一在0.8至1.2电子伏特范圈内之活化能的非晶形矽:氢:氟合金形成。7.如讲求专利部份第6.项之该受光体,包括一设于该光导电性构件与该基体间之阻隔层:其系由一具有一抑止电荷载子由该基体注入该光导电性构件之传导型式的半导体合金材料形成。8.请求专利部份第7.项之该受光体,其中,该阻隔层系由一非晶形矽:氢:氟合金形成,而包括有较该光导电性构件为多的硼。9.如请求专利部份第7.项之该受光体,包括:一介于该基体与该阻隔层间之黏附促进层,以及一设于该光导电性构件上之绝缘层。10.如请求专利部份第1.项之该收良型电光照相受光体,其中,该光导电性构件系由多数重叠的半导体合金材料层形成,该等重叠层彼此间至少有一元素之浓度互相不同,因而减轻该光导电性构件内之整体应力,而改善该受光体之电荷贮存能力。11.如请求专利部份第10.项之该电光照相受光体,其中,该等半导体材料重叠层系由一矽:氢:氟合金形成,且该等重叠层内所结合之氟量彼此不同。12.如请求专利部份第11.项之该电光照相受光体,其中,该光导电性构件约厚15至30m,且显现一柱状生长形态,该受光体更包括:一阻隔半导体层,介设于该光导电性构件与该基体之间,厚约200至60Onm,且其内包括有较该光导电性构件为多量之硼,该阻隔层适于防止电荷载子由该基体注入该光导电性构件;一厚约50至200nm之黏附促进层,介设于该阻隔层与该基体之间;以及一厚度小于600nm而设于该光导电性构件上之绝缘层。 |
