发明名称 METHOD FOR FORMING INSULATING FILM AND SILICON DIOXIDE FINE PARTICLE DISPERSION USED THEREIN
摘要 (과제) 균일하고 높은 충전 밀도를 가지고, 또한 결함이 적은 절연막을 형성할 수 있는 방법의 제공. (해결 수단) 기판 표면에 이산화규소 미립자와, 중합체와, 계면활성제와, 분산매를 함유하는 이산화규소 분산액을 도포하고, 이어서 폴리실라잔 조성물을 도포한 후, 가열하여 절연막을 형성시키는 절연막의 형성 방법.
申请公布号 KR101663506(B1) 申请公布日期 2016.10.07
申请号 KR20137023628 申请日期 2012.02.17
申请人 메르크 파텐트 게엠베하 发明人 다카노 유스케;나가하라 다쓰로;니나드 신데;이와타 다카후미
分类号 H01L21/316;H01L21/76;H01L21/768 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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